Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Туннелирование электронов между двумерными электронными системами в гетероструктуре с одиночным легированным барьером

Попов В.Г.¹, Дубровский Ю.В.¹, Ханин Ю.Н.¹, Вдовин Е.Е.¹, Мауд Д.К.², Портал Ж.-К.², Андерссон Т.Г.³, Тордсон Ж.³

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Лаборатория сильных магнитных полей Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
³Физический факультет Чалмерского технологического университета, Гетеборг, Швеция

Поступила в редакцию: 6 августа 1997 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано туннелирование электронов в гетероструктуре с одиночным легированным барьером. Анализ экспериментальных данных показал, что все особенности в туннельной проводимости связаны с туннелированием электронов между двумерными электронными слоями, которые возникают по разные стороны барьера вследствие ионизации примесей в барьере. При этом транспорт электронов между двумерными электронными слоями и трехмерными контактными областями не вносит существенных искажений в измеряемые туннельные характеристики. В таких структурах отсутствует ток вдоль двумерного электронного газа, который обычно затрудняет исследования туннелирования между двумерными электронными системами в магнитных полях.

H. Mizuta, T. Tanoue. The Physics and Applications of Resonant Tunnelling Diodes (Cambridge University Press, 1995)
P. Cheng, J.S. Harris, Jr. Appl. Phys. Lett., 55, 572 (1989)
M.L. Leadbeater, F.W. Sheard, L. Eaves. Semicond. Sci. Technol., 6, 1021 (1991)
W. Demmerle, J. Smoliner, G. Berthold, E. Gornik, G. Weimenn, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 44, 3090 (1991)
E.E. Mendez, L.L. Chang. Surf. Sci., 229, 173 (1990)
J.P. Eisenstein, L.N. Pfeifer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 69, 3804 (1992)
K.M. Brown, N. Turner, J.T. Nicholls, E.H. Linfield, M. Pepper, D.A. Ritchie, G.A.C. Jones. Phys. Rev. B, 50, 15 465 (1994)
B. Deveaud, A. Chomette, F. Clerot, P. Auvray, R. Regreny, R. Ferreira, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42, 7021 (1990)
T. Suski, J. Smoliner, C. Gschlobl, W. Demmerle, G. Bohm, G. Weimenn. Proc. 5th Int. Conf. High. Pressure in Semiconductor Physics. (Kyoto, 1992) [Jpn. J. Appl. Phys. 32, Suppl. 32--1, 138 (1993)]
G. Rainer, J. Smoliner, E. Gornik, G. Bohm, G. Weimann. Phys. Rev. B, 51, 17 642 (1995)
A. Nogaret, L.A. Cury, D.K. Maude, J.C. Portal, D.L. Sivco, A.Y. Cho, G. Hill. Semicond. Sci. Technol., 8, 1810 (1993)
Yu.V. Dubrovskii, Yu.N. Khanin, I.A. Larkin, S.V. Morozov. Phys. Rev. B, 50, 4897 (1994)
L. Eaves, B.R. Snel, D.K. Maude, P.S.S. Guimares, D.C. Taylor, F.W. Troombs. Proc. Int. Conf. on Physics of Semiconductors (Stockholm, World Scientific, 1986) p. 1615

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель