Теоретически и экспериментально исследовано влияние высокой генерационно-рекомбинационной способности омического контакта (S-контакт) на процессы эксклюзии-аккумуляции в структурах с антизапорным контактом (асимметричных структурах типа p⁺-p-S). Показано, что в отличие от традиционно исследуемой симметричной структуры p⁺-p-p⁺ в рассматриваемой структуре в зависимости от направления тока формируется либо область аккумуляции, либо область эксклюзии. Концентрация неравновесных носителей в слое аккумуляции оказывается значительно выше, а эксклюзионная область длиннее, чем в симметричной структуре. Для Ge при 300 K экспериментально получено 100-кратное превышение концентрации n по отношению к равновесному значению n₀. Протяженность эксклюзионной области достигала 96% длины образца. Предложены области применения структур с антизапорным и омическим контактами на базе узкозонных материалов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.