Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства легированных марганцем слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута

Журавлев К.С.¹, Шамирзаев Т.С.¹, Якушева Н.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 3 ноября 1997 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические и фотолюминесцентные свойства слоев p-GaAs : Mn ориентации (100), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из висмутового растворителя при разных температурах. Показано, что такие слои вплоть до концентрации дырок p=1·10¹⁸ см^-3 при 295 K имеют низкую концентрацию фоновой примеси и низкую степень электрической компенсации. С повышением концентрации марганца в жидкой фазе концентрация доноров в слоях GaAs : Mn возрастает сверхлинейно, а концентрация ионизованных акцепторов сублинейно, что приводит к увеличению коэффициента компенсации. При повышении температуры роста концентрации доноров и акцепторов, а также значения степени компенсации уменьшаются. Проведен анализ причин образования компенсирующих доноров с позиции кристаллохимии и паказано, что за их образование может быть ответственна предварительная ассоциация атомов марганца и мышьяка в жидкой фазе. Высказано предположение, что компенсирующими донорами являются центры безызлучательной рекомбинации, концентрации которых при повышении уровня легирования возрастает быстрее, чем концентрация акцепторов Mn_Ga.

В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов, Е.В. Малисова, Э.Н. Мельченко, В.С. Морозов, М.П. Никифорова, Е.А. Попова, С.С. Хлудков. В сб.: Легирование полупроводников (М., Наука, 1982) с. 32
P. Kordos, L. Jansak, V. Benc. Cryogenics, 5, 312, (1973)
L. Jansak, P. Kordos. Cryogenics, 8, 467, (1974)
N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegaj. Cryst. Res. Technol., 24, 235 (1989)
Н.А. Якушева. Тез. докл. VI Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (М., Наука, 1988) с. 51
К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева. ФТП, 32, 50 (1998)
L. Gouskov, S. Bilac, J. Pimentel, A. Gouskov. Sol. St. Electron., 20, 653 (1977)
P. Kordos, L. Jansak, V. Benc. Sol. St. Electron., 18, 223 (1975)
S. Bilac, Z.P. Arguello, C.A. Arguello, R.C.C. Leite. Sol. St. Electron., 25, 755 (1978)
В.Г. Половинкин. Препринт 9--84 Новосибирск, 1984
U. Heim, P. Hiesinger. Phys. St. Sol. (b), 66, 461 (1974)
J. Lee, E.S. Koteles, M.O. Vassell, J.P. Salerno. J. Luminesc., 34, 63 (1985)
L. Schulthtis, C.W. Tu. Phys. Rev. B, 32, 6978 (1985)
F. Dujardin, B. Stebe. Phys. St. Sol. (b), 140, K117 (1987)
M. Suffczynski, L. Wolniewicz. Phys. Rev. B, 40, 6250 (1989)
Р. Нокс. Теория экситонов (М., Мир, 1966)
D.D. Sell, S.E. Stokowski, R. Dingle, J.V. DiLorenzo. Phys. Rev. B, 7, 4568 (1973)
Б.М. Ашкинадзе, В.В. Бельков, А.Г. Красинская. ФТП, 24, 883 (1990)
Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).
M. Ilegems, R. Dingle, L.W. Rupp, Jr. J. Appl. Phys., 46, 3059 (1975)
K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, V.E. Rodionov, V.I. Vovnenko. Phys. St. Sol. (a), 48, 593 (1978).
В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2
P.W. Yu, Y.S. Park. J. Appl. Phys., 50, 1097 (1979)
L. Montelius, S. Nilsson, L. Samuelson. Phys. Rev. B, 40, 5598 (1989)
С.А. Строителев. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1976)
M. Hansen, K. Anderko. Constitution of bynary alloys (N.Y.--Toronto--London, McGraw--Hill Book Company, Inc., 1958)
Н.А. Якушева, С.И. Чикичев. Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 23, 1607 (1987)
Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
В.Г. Погадаев, Н.А. Якушева. Электрон. техн. Материалы, вып. 5 (250), 48 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель