Исследованы электрические и фотолюминесцентные свойства слоев p-GaAs : Mn ориентации (100), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из висмутового растворителя при разных температурах. Показано, что такие слои вплоть до концентрации дырок p=1·10¹⁸ см^-3 при 295 K имеют низкую концентрацию фоновой примеси и низкую степень электрической компенсации. С повышением концентрации марганца в жидкой фазе концентрация доноров в слоях GaAs : Mn возрастает сверхлинейно, а концентрация ионизованных акцепторов сублинейно, что приводит к увеличению коэффициента компенсации. При повышении температуры роста концентрации доноров и акцепторов, а также значения степени компенсации уменьшаются. Проведен анализ причин образования компенсирующих доноров с позиции кристаллохимии и паказано, что за их образование может быть ответственна предварительная ассоциация атомов марганца и мышьяка в жидкой фазе. Высказано предположение, что компенсирующими донорами являются центры безызлучательной рекомбинации, концентрации которых при повышении уровня легирования возрастает быстрее, чем концентрация акцепторов Mn_Ga.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.