Вышедшие номера
Фотовольтаический эффект в поверхностно-барьерных структурах In/тонкие пленки I--III--VI2
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Боднарь И.В.3, Гременок В.Ф.3, Образцова О.С.3, Сергеев-Некрасов С.Л.3
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 19 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

На пленках тройных соединений CuInTe2, AgGaTe2, AgInTe2 и твердом растворе Cu0.5Ag0.5InSe2, полученных лазерным испарением, изготовлены поверхностно-барьерные структуры, при освещении которых наблюдался фотовольтаический эффект. Установлено, что максимальной вольтовой фоточувствительностью обладают структуры на основе тройного соединения p-AgGaTe2. Показано, что полученные лазерным осаждением пленки соединений I-III-VI2 и твердых растворов Cu0.5Ag0.5InSe2 могут использоваться для создания широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.