Фотовольтаический эффект в поверхностно-барьерных структурах In/тонкие пленки I--III--VI2
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Боднарь И.В.3, Гременок В.Ф.3, Образцова О.С.3, Сергеев-Некрасов С.Л.3
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 19 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
На пленках тройных соединений CuInTe2, AgGaTe2, AgInTe2 и твердом растворе Cu0.5Ag0.5InSe2, полученных лазерным испарением, изготовлены поверхностно-барьерные структуры, при освещении которых наблюдался фотовольтаический эффект. Установлено, что максимальной вольтовой фоточувствительностью обладают структуры на основе тройного соединения p-AgGaTe2. Показано, что полученные лазерным осаждением пленки соединений I-III-VI2 и твердых растворов Cu0.5Ag0.5InSe2 могут использоваться для создания широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.
- H.W. Schock. Sol. Energy Mater. and Sol. Cells, 34, 19 (1994)
- H.W. Schock. Appl. Surf. Sci., 92, 606 (1996)
- H. Neumann, R.D. Tomlinson, Solar. Cells, 28, 301 (1990)
- A. Rocket, R.W. Birkmirc. J. Appl. Phys., 70, R81 (1991)
- J.L. Shay, J.H. Wernick. ternary chalcopyrite semiconductors: Growth, electronic properties and applications (Pergamon Press, N.Y., 1975)
- G.A. Medvedkin, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud', M.A. Tairov. Phys. St. Sol. (b), 151, 711 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
