Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотовольтаический эффект в поверхностно-барьерных структурах In/тонкие пленки I--III--VI₂

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Боднарь И.В.³, Гременок В.Ф.³, Образцова О.С.³, Сергеев-Некрасов С.Л.³

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 19 ноября 1997 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На пленках тройных соединений CuInTe₂, AgGaTe₂, AgInTe₂ и твердом растворе Cu_0.5Ag_0.5InSe₂, полученных лазерным испарением, изготовлены поверхностно-барьерные структуры, при освещении которых наблюдался фотовольтаический эффект. Установлено, что максимальной вольтовой фоточувствительностью обладают структуры на основе тройного соединения p-AgGaTe₂. Показано, что полученные лазерным осаждением пленки соединений I-III-VI₂ и твердых растворов Cu_0.5Ag_0.5InSe₂ могут использоваться для создания широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.

H.W. Schock. Sol. Energy Mater. and Sol. Cells, 34, 19 (1994)
H.W. Schock. Appl. Surf. Sci., 92, 606 (1996)
H. Neumann, R.D. Tomlinson, Solar. Cells, 28, 301 (1990)
A. Rocket, R.W. Birkmirc. J. Appl. Phys., 70, R81 (1991)
J.L. Shay, J.H. Wernick. ternary chalcopyrite semiconductors: Growth, electronic properties and applications (Pergamon Press, N.Y., 1975)
G.A. Medvedkin, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud', M.A. Tairov. Phys. St. Sol. (b), 151, 711 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель