Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN
Зегря Г.Г.1, Гунько Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
Исследованы пороговые характеристики лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN. Выполнен подробный анализ зависимости порогового тока от параметров квантовой ямы и от температуры. Показано, что по сравнению с длинноволновыми лазерами, лазеры на основе InGaN имеют качественно другую зависимость порогового тока от параметров квантовой ямы (ширины квантовой ямы, числа квантовых ям). Проанализирована возможность оптимизации лазерной структуры на основе InGaN с целью улучшения пороговых характеристик и увеличения предельной мощности излучения.
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. J. Appl. Phys., 35, L217 (1996)
- S.L. Chuang, C.S. Chang. Appl. Phys. Lett., 68, 1657 (1996)
- A.T. Meney. E.P. O'Reilly, A.R. Adams. Senicond. Sci. Technol., 11, 897 (1996)
- W.J. Fan, M.F. Li, T.C. Chong, J.B. Xia. J. Appl. Phys., 80, 3471 (1996)
- G.G. Zegrya. In: Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach, Neward, 1997)
- Р. Пантел, Г. Путхоф. Основы квантовой электроники (М., Мир, 1972)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)
- В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
- W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
- Quantum Well Lasers, ed. by Peter S. Zory, Jr. (Academic Press, 1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
