Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Активация и распределение кремния, имплантированного в арсенид галлия, при изотермическом радиационном отжиге

Ардышев В.М.¹, Ардышев М.В.²

¹Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом ВФХ исследованы концентрационные профили n(x) ²⁸Si, имплантированного в GaAs (E=50 и 75 кэВ, F=(1.88/ 6.25)· 10¹² см^-2 ) после "фотонного" и "электронного" отжигов с защитой поверхности диэлектриком и без нее. Показано, что в отличие от термического отжига (800^oC, 30 мин) после фотонного и электронного отжигов наблюдается диффузионное перераспределение кремния в глубь GaAs. Коэффициент диффузии D и степень активации eta с ростом температуры при фотонном отжиге и мощности при электронном отжиге увеличиваются. Значения энергии активации процессов для D и eta при радиационном отжиге меньше аналогичных величин при термическом отжиге. Величины D и eta после фотонного и электронного отжигов без защитного диэлектрика выше, чем при отжиге с диэлектриком.

А.В. Черняев. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на GaAs (М., Радио и связь, 1990)
Арсенид галлия в микроэлектронике, пер. с англ. под ред. В.Н. Мордковича (М., Мир, 1988)
А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин и др. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
Ito Kazuhiko, Yoshida Masahiro et al Jap. J. Appl. Phys., 22, L299 (1983)
S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 46, 2986 (1975)
В.М. Ардышев, Л.А. Козлова и др. А.с. N 235899 от 01.04.86
В.В. Титов. Обзоры по электрон. техн. Сер. Полупроводниковые приборы, 1, вып. 10 (223), 62 (1974)
Ю.Е. Крейндель, Н.И. Лебедева и др. Письма ЖТФ, 8, вып. 23, 1465 (1982)
D.H. Lee, R.M. Matbon. Appl. Phys. Lett., 30, 327 (1977)
МОП--СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Радио и связь, 1988)
Т.Т. Лаврищев, С.С. Хлудков. В сб.: Арсенид галлия (Томск, Изд-во ТГУ, 1974) вып. 5, с. 57
Б.М. Горюнов, Е.И. Зорин и др. В сб.: Арсенид галлия (Томск, Изд-во ТГУ, 1974) вып. 4, с. 102
В.М. Ленченко. ФТТ, 11, 799 (1969)
D.V. Lang, L.C. Kimerling. Phys. Rev. Lett., 33, 489 (1974)
М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллических полупроводниках (М., Металлургия, 1984)
L.C. Kimerling. IEEE Trans. Nucl. Sci., N5--23, 1497 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель