Вышедшие номера
Новый центр рекомбинации в сильно легированном цинком арсениде галлия, полученном методом жидкофазной эпитаксии
Журавлев К.С.1, Шамирзаев Т.С.1, Якушева Н.А.1, Петренко И.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1988 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев p-GaAs : Zn ориентации (100), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого и висмутового расплавов при разных температурах. Установлено, что в исследованных слоях образуется новый центр излучательной рекомбинации. Концентрация центров возрастает с повышением уровня легирования пропорционально концентрации дырок в степени 5.35±0.1, причем показатель степени не зависит от металла-растворителя и температуры эпитаксии. Экспериментальные результаты объяснены в предположении, что центр является электронейтральным комплексом, в состав которого входят галлий на месте мышьяка и две вакансии мышьяка.