Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-перехода

Булярский С.В.¹, Грушко Н.С.¹, Лакалин А.В.¹

¹Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia

Поступила в редакцию: 6 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе модели рекомбинации Шокли-Рида-Холла разработаны две методики определения энергии активации центров, создающих глубокие уровни в области пространственного заряда p-n-перехода. Предлагаемые методики базируются на рассмотрении токов рекомбинации в области пространственного заряда при низком уровне инжекции. Первая методика основана на дифференциальном анализе приведенной скорости рекомбинации d R_np(U)/d U, вторая - на анализе зависимости R²_np(U)/exp(qU/2kT). Описанные методики применялись для обработки вольт-амперных характеристик кремниевых p⁺-n-диодов, легированных золотом. Найденные из вольт-амперных характеристик энергии активации глубокого центра золота в кремнии хорошо согласуются с известными по литературе результатами.

S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE. 45, 1228 (1957)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Физические принципы функциональной диагностики p-n-переходов с дефектами (Кишинев, Штиинца, 1992)
В.И. Старосельский. МЭ, 23, 50 (1994)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., Изд-во МГУ, 1995)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Завод. лаб., 63, 25 (1997)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31, 1146 (1997)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. В сб.: Тр. межд. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, Изд-во УлГУ, 197) с. 65
M.G. Buehler. Sol. St. Electron., 15, 69 (1972)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3014 (1974)
А. Милнс. Примеси с глубокими примесями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель