Влияние неоднородности пространственного распределения неравновесных носителей на спектры краевого излучения прямозонных полупроводников
Лукашевич П.Г.1
1Белорусская государственная политехническая академия, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Показано, что при высоких плотностях однофотонного возбуждения неоднородное распределение неравновесных носителей по глубине оказывает сильное влияние на соотношение интенсивностей различных полос и может приводит к практически полному подавлению полос электронно-дырочной плазмы в спектрах краевого излучения кристаллов. Оценена величина разлета неравновесной электронно-дырочной плазмы.
- А.А. Клочихин, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, М.А. Якобсон, Г.О. Мюллер, В.Д. Егоров. ФТТ, 29, 1123 (1987)
- П.Г. Лукашевич. ФТП, 29, 2002 (1995)
- П.Г. Лукашевич. ФТП, 29, 1253 (1995)
- П.Г. Лукашевич, В.Н. Павловский, В.А. Самойлюкович. ФТП, 23, 578 (1989)
- M. Kwietniak. Zjawiska Luminescencji w ZnTe (Wroclaw--Warszawa--Krakow--Gdansk, PAN, 1980)
- П.Г. Лукашевич, В.А. Иванов. ЖПС, 36, 160 (1980)
- Н.Н. Зиновьев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 14, 464 (1980)
- Н.Н. Зиновьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 33, 601 (1981)
- Электронно-дырочные капли в полупроводниках, под ред. К.Д. Джефриса, Л.В. Келдыша (М., Наука, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
