Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов GaN/GaP
Ботнарюк В.М.1, Бельков В.В.2, Жиляев Ю.В.2, Раевский С.Д.1, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.2, Федоров Л.М.2
1Государственый университет Молдовы, MD Кишинев, Молдавия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе выращены тонкие интерференционные слои n-GaN на подложках n- и p- GaP с ориентациями (100) и (111). Изучены спектры фоточувствительности анизотипных и изотипных гетеропереходов при наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны широкозонной компоненты. Обнаружена наведенная поляризационная фоточувствительность и обсуждаются ее особенности, обусловленные интерференцией излучения в слое нитрида галлия.