Вышедшие номера
Разность потенциалов и фотовольтаический эффект, возникающие вследствие деформации волновой функции электрона в GaAs-квантовой яме с тонким AlGaAs-барьером
Пожела Ю.1, Пожела К.1
1Semiconductor Physics Institute, Vilnius, Lithuania
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Рассчитано изменение спектра и деформации волновой функции электронов в GaAs-квантовой яме при введении в нее тонкого AlGaAs-барьера. Вычислена разность потенциалов, возникающая на квантовой яме вследствие деформации волновой функции электронов, и ее зависимость от положения барьера в квантовой яме. Определены фотовольтаический отклик в структуре на оптическое межподзонное возбуждение, роль деформации волновой функции и спектра электронов, а также межподзонных безызлучательных переходов в его образовании. Рассмотрена пригодность использования GaAs-квантовой ямы с тонким барьером в качестве структуры для детектирования инфракрасного излучения.