Представлены результаты изучения электрических свойств пленок a-SiGe с содержанием Ge ~ 2.2 ат%, полученных испарением из раздельных источников Si и Ge и ионно-легированных примесями замещения (B⁺ и P⁺), а также результаты по направленной компенсации примеси при ионном легировании. Обнаружено, что при введении примесей в a-SiGe в диапазоне доз 1.3·10¹⁴/1.3·10¹⁷ см^-2 и отжиге при 350^oC проводимость пленок увеличивается от 10^-9 до 10^-4 и 10^-5 См/см при легировании B⁺ и P⁺ соответственно. При этом положение уровня Ферми изменяется от (E_v+0.27) до (E_c-0.19) эВ. При дополнительном легировании примесью противоположного типа проявляется эффект компенсации "примесной" проводимости. Обнаружено, что эффективность легирования a-SiGe бором выше, чем фосфором.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.