Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками

Соболев М.М.¹, Ковш А.Р.¹, Устинов В.М.¹, Егоров А.Ю.¹, Жуков А.Е.¹, Мусихин Ю.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 июля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о результатах исследования структуры, содержащей один массив квантовых точек InAs в матрице GaAs, методами вольт-фарадной спектроскопии и нестационарной спектроскопии глубоких уровней, фотолюминесценции, а также просвечивающей электронной микроскопии. Было обнаружено присутствие в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре, кластера взаимодействующих бистабильных дефектов. Обнаружен эффект контролируемой и обратимой метастабильной заселенности энергетических состояний квантовой точки и моноэнергетического поверхностного состояния, зависящей от температуры и условий изохронного отжига. Он связывается с присутствием бистабильных ловушек с самозахватом (self-trapped) дырок. С помощью измерений методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружено изменение термоионизационной энергии эмиссии дырок с поверхностных состояний гетерограницы InAs/GaAs и смачивающего слоя при увеличении напряжения обратного смещения. Было сделано предположение, что эти изменения обусловлены встроенным электростатическим полем диполя, который может образоваться как дырками смачивающего слоя, с одной стороны, так и ионизованными уровнями, расположенными вблизи с гетерограницей.

Y. Arakawa, A. Yariv. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1887 (1986)
V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsulnikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kopev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele. Cryst. Growth, 175/176, 689 (1997)
S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, P.S. Kopev, A.O. Kosogov, Zh.I. Alferov. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 4219 (1997)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
T.Matsumoto, Y. Ito, T. Ishida. Jpn. J. Appl. Phys., L541 (1989)
K.L. Jiao, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 73, 271 (1993)
K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rucker, H.G. Grimmeiss, H. Frankenfeld, H.J. Osten, P. Schley, H.P. Zeindl. Phys. Rev. B, 50, 14 287 (1994)
S.Anand, N. Carlsson, M-E Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995)
M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semicond, (July 21--25, 1997, Aveiro, Portugal), [Mater. Sci. Forum, 258--263, pt. 3, 1619 (1997)].
М.М. Соболев, Ф.В. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю.Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
P.N. Brunkov, S.G. Konnikov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maksimov, N.N. Ledentsov, P.S. Kopev. Semiconductors, 30, 492 (1996)
Р.А. Сурис. В сб.: Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников (Л., 1975) с. 245
M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kopev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 979 (1996)
Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
П.Н. Брунков, С.Г. Конников, М.И. Папенцев, М.М. Соболев, М.Н. Степанова. ФТП, 23, 1689 (1989)
М.М. Соболев, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев. ФТП, 28, 663 (1994)
M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, M.I. Papentsev, V.S. Kalinovsky. Semicond. Sci. Technol., 11, 1692 (1996)
Sh. Makram-Ebeid, P. Boher. Rev. Phys. Appl., 23, 847 (1988)
P.N. Brunkov, V.S. Kalinovsky, V.G. Nikitin, M.M. Sobolev. Semicond. Sci. Technol., 7, 1237 (1992)
П.Н. Брунков, В.С. Калиновский, С.Г. Конников, М.М. Соболев, О.В. Сулима. ФТП, 24, 1320 (1990)
A.Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
P.J. Mooney. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
D. Steivenard, J.C. Bourgoin, D. Pons. Phys. Rev. B, 34, 4048 (1986)
П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
F. Capasso, F. Beltram. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 104, 47 (1988)
G. Muller, A. Zrenner, F. Koch, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 55, 1564 (1989)
Ph. Won Yu, W.C. Mitchel, M.G. Mier, S.S. Li, W.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 41, 532 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель