Для анализа процессов формирования центров люминесценции в SiO₂, имплантированном ионами Si, методом Монте-Карло в двумерном пространстве моделировался рост кремниевых нанопреципитатов в слоях, содержащих несколько ат% избыточного Si. Предполагалось, что вначале образуются преколяционные кластеры из близко расположенных атомов Si, а с увеличением температуры отжига кластеры растут и стягиваются в фазовые наноразмерные выделения. Показано, что дозовая зависимость обусловлена резким усилением вероятности образования прямых связей Si-Si, когда концентрация кремния превышает ~1 ат%. При этом еще до отжигов формируются перколяционные цепочки и кластеры. Влияние температуры последующих отжигов до 900^oC учитывалось через известную температурную зависимость диффузии Si в SiO₂. Считалось, что при умеренных отжигах увеличение подвижности атомов Si облегчает перколяцию и развитие кластеров за счет роста радиуса взаимодействия. Собственно диффузионные процессы идут в области высоких температур и они приводят к трансформации ветвящихся кластеров в нанопреципитаты с выраженной фазовой границей. Полученные при моделировании дозовые и температурные интервалы формирования преципитатов согласуются с экспериментальными интервалами доз и температур, соответствующих появлению и изменениям люминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.