Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости в тонкопленочных структурах
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Оценивалась возможность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в симметричных структурах металл-полупроводник-металл с малой толщиной пленки. Предложена модель, позволяющая в первом приближении объяснить природу возникновения данной бистабильности в результате генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в объеме образца при биполярной инжекции. Показана перспективность разработки и применения структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением в устройствах для регистрации и обработки информации.
- Э.Н. Воронков, В.В. Колобаев. Токовая неустойчивость в тонких пленках теллурида кадмия. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (М., Изд-во МНТОРЭС им. А.С. Попова, 1997) с. 206
- В.И. Стафеев. ФТТ, 16, 841 (1959)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- Э. Шёлль. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами (М., Мир, 1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
