Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости в тонкопленочных структурах
1Московский энергетический институт, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Оценивалась возможность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в симметричных структурах металл-полупроводник-металл с малой толщиной пленки. Предложена модель, позволяющая в первом приближении объяснить природу возникновения данной бистабильности в результате генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в объеме образца при биполярной инжекции. Показана перспективность разработки и применения структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением в устройствах для регистрации и обработки информации.
- Э.Н. Воронков, В.В. Колобаев. Токовая неустойчивость в тонких пленках теллурида кадмия. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (М., Изд-во МНТОРЭС им. А.С. Попова, 1997) с. 206
- В.И. Стафеев. ФТТ, 16, 841 (1959)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- Э. Шёлль. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами (М., Мир, 1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
