Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
25 января исполнилось 70 лет главному научному сотруднику Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, постоянному автору и рецензенту нашего журнала, доктору физико-математических наук Александру Александровичу Лебедеву. А.А. Лебедев родился в Ленинграде в семье известного физика, академика Александра Алексеевича Лебедева. Закончив школу, он поступил на физический факультет университета, а с 1951 года стал работать в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, с которым связал всю свою жизнь. Пройдя путь от старшего лаборанта до главного научного сотрудника, Александр Александрович впитал лучшие традиции физтеховской школы, выделяясь среди коллег широкой эрудицией и прекрасной университетской подготовкой. Начало научного пути А.А. Лебедева совпало с временем рождения полупроводниковой электроники, в развитии которой он принимал непосредственное участие. Вся его научная деятельность неразрывно связана с физикой полупроводников и в значительной степени определила ее современный уровень. Он внес существенный вклад в разработку отечественной технологии выращивания чистых и легированных монокристаллов германия, а также в исследование характеристик приборов на основе этого материала. Наиболее важные нучные достижения А.А. Лебедева связаны с изучением свойств глубоких центров в полупроводниках. А.А. Лебедевым с сотрудниками исследованы спектры примесных уровней более 30 элементов, а также энергетические спектры локализованных электронных состояний дефектов в кремнии и арсениде галлия. В обзорах и монографиях по этому вопросу можно найти множество ссылок на полученные им данные. А.А. Лебедев стоял у истоков теперь уже классического метода емкостной релаксационной спектроскопии глубоких центров, который он успешно развил и применил на практике. Им опубликовано около 300 статей, совместно с Л.С. Берманом написана монография и в настоящее время находится в печати еще одна книга. В последние годы А.А. Лебедев возглавил работы по исследованию светоизлучающего пористого кремния и других пористых полупроводников и внес существенный вклад в понимание природы нового явления. [!t] [scale=0.95]pers10.eps Его педагогический талант способствовал формированию большого числа физиков, которые продолжают научную работу в Физтехе и различных институтах бывшего Советского Союза. А.А. Лебедев - талантливый физик-экспериментатор, пользующийся уважением среди коллег и заслуживший признание мировой научной общественности. Александра Александровича отличают редкая скромность, щедрость души и глубокая порядочность, притягивающие к нему людей. С молодых лет он правильно понял свое предназначение: заниматься экспериментом и избегать административных должностей. Он принадлежит к породе физтеховских чудаков, которым не нужны степени и звания, им интересно узнавать истинную природу вещей. Сердечно поздравляем Александра Александровича с юбилеем и от всей души желаем ему здоровья и творческих успехов. Ученики, коллеги
- Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, В.М. Андреев и др. ФТП, 12, 1054 (1978)
- P.D. Dapkus, C.H. Henry. Appl. Phys., 47, 4061 (1976)
- B. Rheinlander, G. Oelgart, H. Halfner et al. Phys. St. Sol. (a), 87, 373 (1985)
- Т.В. Торчинская, А.А. Шматов, В.И. Строчков, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 701 (1986)
- Т.В. Торчинская, Т.Г. Бердинских, А.Г. Корабаев. ЖТФ, 59, вып.18, 134 (1989)
- В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981) гл. 8, с. 316
- Г.А. Сукач. ФТП, 31, 753 (1997)
- А.А. Птащенко. ЖПС, 33, 781 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.