На основе представлений об уровнях прилипания проанализированы данные по релаксации фотопроводимости, связанной с одним из радиационных дефектов в p-кремнии, используемом в радиационной технологии. Исследовались дефекты, образованные дивакансиями в положительном зарядовом состоянии (W⁺), lambda=4 мкм. Показано, что этот дефект является уровнем прилипания по отношению к более глубоким уровням радиационных дефектов, например K-центру (что ярко проявляется после предварительной коротковолновой подсветки). В результате в фотопроводимости проявляются процессы с малыми временами релаксации. Показано также, что либо увеличение энергии электронов, используемых для введения данного радиационного дефекта до величины 15 МэВ, либо увеличение интенсивности облучения электронами с энергией 1 МэВ позволяет получить короткие релаксации фотопроводимости в данном материале.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.