Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в Cd_xHg_1-xTe p-типа проводимости

Гасан-заде С.Г.¹, Стриха М.В.¹, Шепельский Г.А.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 25 августа 1998 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В кристаллах Cd_xHg_1-xTe (x=0.20-0.30) p-типа в температурном диапазоне вымораживания дырок на акцепторные состояния (T<30 K) обнаружено знакопеременное поведение тока фотоэлектромагнитного эффекта в магнитном поле. Показано, что причиной аномалий фотоэлектромагнитного эффекта является изменение отношения концентраций равновесных и неравновесных носителей тока. Предложенная теоретическая модель, которая учитывает зависимость эффективной длины биполярной диффузии от указанного соотношения, хорошо объясняет наблюдаемые в эксперименте аномалии фотоэлектромагнитного эффекта.

V.I. Ivanov-Omskii, N.N. Berchenko, A.I. Elizarov. Phys. St. Sol. ( a), 103, 11 (1987)
R.B. Scoolar, B.K. Janousek, R.L. Alt, R.C. Carcallen, M.J. Danghtery, A.A. Fote. J. Vac. Sci. Techn., 21, 164 (1982)
M.C. Chen. Appl. Phys. Lett., 51, 1836 (1987)
А.И. Елизаров, Л.П. Зверев, В.В. Кружаев, Г.М. Миньков, О.Э. Рут. ФТП, 17, 459 (1983)
С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, Е.С. Фридрих, Г.А. Шепельский. ФТП, 25, 871 (1991)
С.М. Городницкий, Н.С. Жданович, Ю.И. Равич. ФТП, 7, 1270 (1973)
D.H. Lile. Phys. Rev. B, 8, 4708 (1973)
С.Г. Гасан-заде, В.В. Богобоящий, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, Г.А. Шепельский. ФТП, 27, 1508 (1993)
А.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут. ФТП, 21, 2006 (1987)
Ю.И. Равич. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., Наука, 1967)
А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1984)
С.А. Студеникин, И.А. Панаев, В.А. Костюченко, Х.-М.З. Торчинов. ФТП, 27, 744 (1993)
А.В. Саченко, Б.А. Новоминский, А.С. Калшабеков. Дыэлектрики и полупроводники, 34, 44 (1988)
Г.Г. Бабичев, Н.П. Жадько, В.А. Романов. ФТП, 9, 2300 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель