Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga_0.7Al_0.3As и GaAs

Анкудинов А.В.¹, Евтихиев В.П.¹, Токранов В.Е.¹, Улин В.П.¹, Титков А.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 октября 1998 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология окисленной поверхности скола решетки чередующихся слоев GaAs и Ga_0.7Al_0.3As. Обнаружено, что поверхность пленки естественного окисла на сколе обладает квазистационарным нанорельефом, отражающим состав слоев гетероструктуры. Области окисла над слоями GaAlAs оказываются выше областей над слоями GaAs на 0.5 нм. Стравливание пленки окисла показывает, что на открывшейся поверхности скола также формируется нанорельеф, инвертированный по отношению к рельефу поверхности окисла. Возникновение нанорельефов на поверхности и на нижней границе пленки естественного окисла объяснено различной глубиной окисления слоев GaAs и Ga_0.7Al_0.3As и увеличением объема при окислении.

W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer Verlag, 1993) [Springer Ser. Surf. Sci., 26 (1993) ch 17, p. 276]
P. Moriarty, G. Hughes. Ultramicroscopy, 42--44, 956 (1992)
Hirokato Ohno, Larry Akio Nagahara, Shangir Gwo, Wataru Mizutani, Hiroshi Tokumoto. Japan. J. Appl. Phys., 35, pt 2, N 4B, L512 (1996)
V.P. Ulin, V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova. Proc. SOTAPOCS-XXVII (1997) [Electrochem. Soc. Proc. (1997) v. 97--27, p. 343]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель