Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
[!t] 28 января 1999 года на 58 году жизни скоропостижно скончался выдающийся ученый в области физики твердого тела, заведующий кафедрой "Экспериментальная физика" Санкт-Петербургского государственного технического университета (СПбГТУ), доктор физико-математических наук, профессор Вадим Федорович Мастеров. Вадим Федорович родился 17 декабря 1941 года в городе Архангельске. В 1959 году после окончания средней школы он поступил в Ленинградский политехнический институт (ЛПИ). С тех пор вся его жизнь неразрывно была связана с ЛПИ, впоследствии преобразованным в СПбГТУ. Здесь сначала он учился на механико-машиностроительном факультете, а затем из-за большого интереса к физике перевелся на физико-механический факультет. После окончания института в ноябре 1964 года по специальности "Металлофизика и металловедение" он был принят на работу на кафедру "Экспериментальная физика" физико-механического факультета ЛПИ, где последовательно занимал должности младшего научного сотрудника (1965-1966), старшего инженера (1966-1975), старшего научного сотрудника и заместителя заведующего кафедрой по научной работе (1975-1982), профессора (1982-1991). С 1991 года В.Ф. Мастеров - профессор, заведующий кафедрой. В 1971 году он защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата, а в 1979 году стал доктором физико-математических наук. Область научных интересов В.Ф. Мастерова - физика твердого тела (физика полупроводников, высокотемпературная сверхпроводимость, физика фуллеренов). По этим направлениям им опубликовано более двухсот оригинальных научных статей в отечественных и зарубежных изданиях, две монографии и пять обзоров в журналах " Физика и техника полупроводников" и " Физика твердого тела". Его экспериментальные и теоретические работы по электронной структуре глубоких многоэлектронных центров в полупроводниках получили международное признание, результаты этих работ вошли в монографии и обзоры как отечественных, так и зарубежных авторов. В 1980 году В.Ф. Мастеровым с сотрудниками впервые в мире была зарегистрирована фотолюминесценция, а в 1982 году электролюминесценция на внутрицентровых переходах в полупроводниках AIIIBV, легированных редкоземельными элементами. В эти же годы методом электронного парамагнитного резонанса была исследована структура ряда примесных центров, создаваемых редкоземельными элементами в фосфиде индия. Его работы по исследованию электронной структуры примесей элементов переходной группы железа и редких земель в полупроводниках стали классическими. В этих работах, в частности, была показана перспективность использования полупроводников, легированных редкоземельными элементами, для создания когерентных и некогерентных источников инфракрасного излучения. В настоящее время работы в этом направлении получили развитие в научных центрах многих стран, опубликованы два сборника докладов "Rare-Earth Doped Semiconductors" (по материалам одноименных симпозиумов, проводимых в рамках MRS Meetings, США, 1993 и 1996 гг.), где также представлены работы В.Ф. Мастерова. В 1993 году им было предложено и обосновано использование низкоразмерных полупроводниковых структур для повышения эффективности f-f-излучения. В 1996 году им (совместно с Г.Г. Зегря) теоретически показана возможность создания лазера на длину волны 1.54 мкм на основе легированной эрбием гетероструктуры InP / InGaAsP / InP с двумя типами квантовых ям. С 1987 года В.Ф. Мастеров активно включился в исследование высокотемпературной сверхпроводимости сложных металлоксидов меди, а с 1992 года - сверхпроводимости металлофуллеренов. Он одним из первых предложил рассматривать высокотемпературные сверхпроводники как множественную джозефсоновскую среду. В лаборатории В.Ф. Мастерова, одновременно с другими научными группами у нас в стране и за рубежом и независимо от них, было обнаружено явление микроволнового поглощения в сверхпроводниках, содержащих внутренние джозефсоновские переходы. Совместно с А.Г. Ароновым им был предложен и реализован оригинальный метод исследования нарушения симметрии обращения времени в высокотемпературных сверхпроводниках. В.Ф. Мастеровым с сотрудниками был развит новый метод исследования пространственного распределения плотности заряда в сложных металлоксидах меди на основе эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Наиболее интересным результатом в направлении физики фуллеренов следует считать открытие высокотемпературной сверхпроводящей фазы в металлофуллерене на основе меди с рекордным для фуллеридов значением температуры сверхпроводящего перехода 120 K. По инициативе В.Ф. Мастерова на кафедре "Экспериментальная физика" создана лаборатория электронной спектроскопии (под руководством профессора Ю.А. Мамаева), в которой разработаны и изготовлены уникальные высоковакуумные экспериментальные установки для исследования твердых тел методом поляризационной спектроскопии медленных электронов. Под руководством В.Ф. Мастерова в его научной лаборатории была организована теоретическая группа, в которой продолжают работать такие известные физики - теоретики, профессора кафедры, как В.К. Иванов, В.Г. Карпов, Д.А. Паршин, А.В. Субашиев, В.А. Харченко. Научная деятельность В.Ф. Мастерова была неразрывно связана с ведущими научными центрами России и ряда зарубежных стран. Он проводил научные исследования совместно с сотрудниками Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, Государственного оптического института им. С.И. Вавилова, Петербургского института ядерной физики РАН, Института химии силикатов РАН, Научно-исследовательского института "Домен", а также с учеными США, Германии, Голандии, Италии. С 1994 года В.Ф. Мастеров был консультантом университета Аризоны (Tucson, USA), в 1995-1996 гг. имел контракт с European Office of Aerospace Reseach and Development (London, UK), принимал участие в работах по гранту ИНТАС-РФФИ, выполняемых совместно учеными Физико-технического института РАН, Физическо- го института РАН, СПбГТУ, Миланского университета (Италия) и университета Амстердама (Голландия). В.Ф. Мастеров состоял членом оргкомитетов и программных комитетов ряда международных и национальных конференций и семинаров. Он был членом редколлегии журнала " Физика и техника полупроводников", членом научного совета по направлению "Фуллерены и атомные кластеры", государственной программы "Актуальные проблемы физики конденсированного вещества", ученого и научно-технического советов СПбГТУ, членом Material Research Society (США) и Int. Society of Researchers of ESR in Semiconductors (Голландия). В.Ф. Мастеров принимал активное участие в научно-методической работе СПбГТУ. Он - автор 32 научно- и учебно-методических работ, в том числе 6 учебных пособий. По инициативе Вадима Федоровича, при поддержке ректората, под его руководством и непосредственном активном участии в конце 70-х годов была модернизирована учебная физическая лаборатория. Учебный практикум по физике в ЛПИ стал одним из лучших в стране, за что был удостоен диплома I степени на ВДНХ СССР в 1979 году. Совместно с И.П. Ипатовой В.Ф. Мастеровым была разработана новая программа курса общей физики и подготовлен к печати учебник по этому курсу. В 1992-1997 годах В.Ф. Мастеров был членом научно-методического совета по физике при МинВУЗ'е и входил в научно-методический совет СПбГТУ. В 1994 году по его инициативе на кафедре "Экспериментальная физика" была открыта подготовка бакалавров и магистров по специальности "физика" (направление - физика конденсированного состояния вещества), разработан план и подготовлен ряд специальных курсов для студентов данной специальности. В.Ф. Мастеров выполнял большую работу по подготовке высококвалифицированных научных кадров. Непосредственно под его научным руководством было защищено 16 кандидатских диссертаций и при его поддержке - 4 докторских. Светлая память о Вадиме Федоровиче Мастерове, посвятившем всего себя науке и образованию, навсегда сохранится в сердцах его многочисленных учеников, друзей и коллег. [!h] = @-110ptp150mm@ Ж.И. Алферов, Ю.С. Васильев, А.Г. Забродский, Б.П. Захарченя,-5pt И.П. Ипатова, Ф.П. Кесаманлы, В.В. Козловский, В.Н. Колгатин В.И. Перель, В.В. Емцев, C.A.J. Ammerlaan, S. Pizzini Редколлегия журнала Физика и техника полупроводников
- R.U. Martinelli. Laser Focus World, 77 (1996)
- C.H.L. Goodman. Sol. St. Electron. Dev., 12(5), 129 (1978)
- Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31, 1396 (1997)
- W.W. Bewley, C.L. Felix, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.-H. Lin, S.J. Murry, D. Zhang, S.S. Pei, L.R. Ram-Moham. J. Appl. Phys., 83(5). 2384 (1998)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24(12), 40 (1998)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(2), 233 (1999)
- C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt. J. Appl. Phys., 51(6), 3042 (1980)
- В.П. Грибковский. Полупроводниковые лазеры (Минск, Изд-во Минск. ун-та, 1988)
- B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44(9), 4113 (1973)
- М. Айдаралиев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1991)
- J. Dixon, J. Ellis. Phys. Rev., 123, 1560 (1961)
- I. Joindot, J.L. Beylat. Electron. Lett., 29(7), 604 (1993)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
- Т.С. Аргунова, Р.Н. Кютт, Б.А. Матвеев, С.С. Рувимов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 36, 3071 (1994)
- А.А. Попов, В.А. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 1139 (1998)
- B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 46, 1299 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.