Вышедшие номера
Высокоэффективные концентраторные (2500 солнц) AlGaAs/GaAs-солнечные элементы
Андреев В.М.1, Хвостиков В.П.1, Ларионов В.Р.1, Румянцев В.Д.1, Палеева Е.В.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Приводятся результаты исследования солнечных элементов, изготовленных на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, оптимизированных для работы на сверхвысоких степенях концентрирования солнечного излучения (1000-2500 солнц). Максимально достигнутые значения эффективности составили 25.1% при 500 солнцах, 25% при 1000 солнц и 22.8% при 2000 солнц для излучения с воздушной массой AM1.5. Создание таких элементов открывает перспективы уменьшения более чем на 3 порядка площади солнечных элементов и, как следствие, существенного снижения стоимости электроэнергии, вырабатываемой энергоустановками с концентраторами солнечного излучения.