Представлены результаты исследования молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных гетероструктур на основе ZnSe с новой конструкцией активной области, содержащей дробно-монослойную область рекомбинации CdSe в расширенной квантовой яме ZnSe и волновод на основе переменно-напряженной короткопериодной сверхрешетки. Выращивание дробно-монослойной области CdSe с номинальной толщиной 2-3 монослоя, т. е. ниже критической толщины, на поверхности ZnSe (Delta a/a~7%) приводит к формированию самоорганизующихся псевдоморфных островков, обогащенных CdSe, с латеральными размерами ~10-30 нм и плотностью ~2·10¹⁰ см^-2, которые служат эффективными центрами локализации носителей, вызывая эффективное пространственное разделение дефектных областей и областей излучательной рекомбинации и, как результат, увеличение квантовой эффективности. Получены структуры лазеров для оптической накачки в системе (Zn,Mg)(S,Se) с рекордной пороговой плотностью мощности (менее 4 кВт/см² при 300 K), а также непрерывные лазерные диоды в системе (Be,Mg,Zn)Se с дробно-монослойной активной областью CdSe толщиной (2.5-2.8) монослоя. Лазерные структуры и диоды обладают улучшенной деградационной устойчивостью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.