Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 9 » Статья стр. 1115
<<<>>>
Сине-зеленые лазеры на основе ZnSe с новым типом активной области
Иванов С.В.1, Торопов А.А.1, Сорокин С.В.1, Шубина Т.В.1, Седова И.В.1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1, Вааг А.2, Лугауэр Х.Д.2, Решер Г.2, Кайм М.2, Фишер Ф.Ф.2, Ландвер Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики университета г. Вюрцбурга, Германия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных гетероструктур на основе ZnSe с новой конструкцией активной области, содержащей дробно-монослойную область рекомбинации CdSe в расширенной квантовой яме ZnSe и волновод на основе переменно-напряженной короткопериодной сверхрешетки. Выращивание дробно-монослойной области CdSe с номинальной толщиной 2-3 монослоя, т. е. ниже критической толщины, на поверхности ZnSe (Delta a/a~7%) приводит к формированию самоорганизующихся псевдоморфных островков, обогащенных CdSe, с латеральными размерами ~10-30 нм и плотностью ~2·1010 см-2, которые служат эффективными центрами локализации носителей, вызывая эффективное пространственное разделение дефектных областей и областей излучательной рекомбинации и, как результат, увеличение квантовой эффективности. Получены структуры лазеров для оптической накачки в системе (Zn,Mg)(S,Se) с рекордной пороговой плотностью мощности (менее 4 кВт/см2 при 300 K), а также непрерывные лазерные диоды в системе (Be,Mg,Zn)Se с дробно-монослойной активной областью CdSe толщиной (2.5-2.8) монослоя. Лазерные структуры и диоды обладают улучшенной деградационной устойчивостью.
  1. E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, A. Ishibashi. Electron. Lett., 34, 282 (1998)
  2. T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, S.V. Sorokin, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 596 (1998)
  3. S. Ivanov, A. Toropov, S. Sorokin, T. Shubina, A. Lebedev, P. Ko'pev, Zh. Alferov, H.-J. Lugauer, G.Reuscher, M. Keim, F. Fischer, A. Waag, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 73, 2104 (1998)
  4. С.В. Иванов, А.А. Торопов, С.В. Сорокин, Т.В. Шубина, Н.Д, Ильинская, А.В. Лебедев, И.В. Седова, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Х.Д. Лугауэр, Г. Решер, М. Кайм, Ф. Фишер, А. Вааг, Г. Ландвер. ФТП, 32, 1272 (1998)
  5. J.M. Gerald, O. Sermage. Appl. Phys. Lett., 68, 3123 (1996)
  6. K. Nakano. Proc. 2nd Int. Symp. on Blue Lazer and Light Emitting Diodes (Chiba, Japan, 1998) p. 395
  7. A. Waag, Th. Litz, F. Fischer, H.-J. Lugauer, T. Baron, K. Schull, U. Zehnder, T. Gerhart, U. Lunz, M. Keim. G. Reuscher, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 184/185, 1 (1998)
  8. S.H. Xin, P.D. Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrovollska, J.L. Merz, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett., 69, 3884 (1996)
  9. H.-C. Ko, D.-C. Park, Y. Kawakami, S. Fujita. S. Fujita. Appl. Phys. Lett., 70, 3278 (1997)
  10. K. Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, U. Woggon. Appl. Phys. Lett., 71, 1510 (1997)
  11. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998)
  12. Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 63, 1678 (1993)
  13. A.A. Toropov, S.V. Ivanov, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, S.V. Sorookin, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 184/185, 293 (1998)
  14. F. Gindele, C. Varkle, U. Woggon, W. Langbein, J.M. Hvam, K. Leonarke, K. Ohkawa, D. Hommel. J. Cryst. Growth, 184/185,306 (1998)
  15. M. Strassburg, V. Kutzer, U.W. Pohl, A. Hoffmann, I. Broser, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 72, 942 (1998)
  16. M.A. Haase, P.F. Baude, M.S. Hagedorn, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, S. Guba, G.E. Hofler, B.J. Wu. Appl. Phys. Lett., 63, 2315 (1993)
  17. K.P. O'Donnell, D.M. Bagnall, O.J. Wright, B. Cockayne. Phys. St. Sol. B, 187, 451 (1995)
  18. N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. Appl. Phys. Lett., 69, 1343 (1996)
  19. S.V. Ivanov, S.V., Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, N.D. Jung, H.S. Park. J. Cryst. Growth, 159, 16 (1996)
  20. A. Waag, F. Fischer, K. Schull, T. Baron, H.-J. Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 70, 280 (1997)
  21. A. Toropov, S. Ivanov, T. Shubina, S. Sorokin, A. Lebedev, A. Sitnikova, P. Kop'ev, M. Willander, G. Pozina, J. Bergman, B. Monemar. Jpn. J. Appl. Phys., 38, Pt 1, No. 113 (1999) (in print)
  22. A. Lebedev, S. Sorokin, A. Toropov, T. Shubina, N. Il'inskaya, O. Nekrutkina, S. Ivanov, G. Pozina, P. Bergman, B. Monemar. Acta Phys. Polon. A, 94, 421 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme