Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования

Астрова Е.В.¹, Воронков В.Б.¹, Ременюк А.Д.¹, Толмачев В.А.², Шуман В.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия Vavilov State Optical Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 апреля 1999 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

С помощью метода эллипсометрии исследовано изменение оптических характеристик тонких пленок окисленного пористого кремния в зависимости от режима получения и последующей термообработки. Показано, что показатель преломления, оптическая толщина и коэффициент экстинкции пленок пористого кремния монотонно уменьшается по мере увеличения степени окисления кремниевого каркаса, в то время как толщина пленки возрастает. Анализ зависимости толщины пленки от степени окисления показал, что она мало отличается от такой же зависимости для пленки без пор. Состав пленок определялся из величины измеренного показателя преломления на длине волны lambda=632.8 нм с помощью зависимостей, рассчитанных на основе трехкомпонентной модели эффективной среды Бруггемана для слоев с разной исходной пористостью.

A. Loni, L.T. Canham, M.G. Berger, R. Arens-Fisher, H. Munder, H. Luth, H.F. Arrand, T.M. Benson. Thin Sol. Films, 276, 143 (1996)
C. Mazzoleni, L. Pavesi. Appl. Phys. Lett., 67, 2983 (1995)
M.J. Berger, R. Arens-Fischer, St. Frohnhoff, C. Dieker, K. Winz, H. Munder, H. Luth, M. Arntzen, W. Theiss. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 358, 327 (1995)
G. Maiello, S.L. Monica, A. Ferrari, G. Masini, V.P. Bondarenko, A.M. Dorofeev, N.M. Kazuchits. Thin Sol. Films, 297, 311 (1997)
L. Schirone, G. Sotigiu, F.P. Califano. Thin. Sol. Films, 297, 296 (1997)
M.J. Berger, R. Arens-Fischer, M. Thonissen, M. Kruger, S. Billat, H. Luth, S. Hibrich, W. Theiss, P. Grosse. Thin Sol. Films, 297, 237 (1997)
L. Stalmans, J. Poortmans, H. Bender, S. Jin, T. Conard, J. Nijs, L. Debarge, A. Slaoui. In: Porous semiconductors. Sci. and Techn. Mater. [Int. Conf.] (Mallorca, 1998), abstr. 0-14
G. Bomchil, A. Halimaoui, R. Herino. Microelectronic Engineering, 8, 293 (1988)
J.L. Batstone, M.A. Tischler, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 62, 2667 (1993)
A. Halimaoui. In: Porous Silicon. Science and Technology [Winter School] (Les Houches, 1994), ed. by J.-C. Vial, J. Derrien (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, Les Edition de Physique Les Ulis, 1995) p. 33
K. Barla, R. Herino, G. Bomchil. J. Appl. Phys., 59, 439 (1986)
Y. Arita, K. Kuranari, Y. Sunohara. Japan. J. Appl. Phys., 15, 1655 (1976)
C. Pickering, M.I.J. Beale, D.J. Robbins, P.J. Pearson, R. Greef. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 17, 6535 (1984)
P.M. Faushet, L. Tsybetskov, S.P. Duttagupta, K.D. Hinsehman. Thin Sol. Films, 297, 254 (1997)
L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, J.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991)
M. Fried, H. Wormeester, E. Zoethout, T. Lohner, O. Polgar, I. Barsony. Thin Sol. Films, 313/314, 459 (1998)
Л.В. Беляков, Т.Л. Макарова, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, О.М. Сресели. ФТП, 32, 1122 (1998)
Б.Б. Логинов, В.П. Гайденко. ЖПХ, 50, 1683 (1977)
L. Dolgyi, N. Kazuchits, V. Yakovtseva, N. Vorosov, M. Balucani, V. Bondarenko, L. Franchina, G. Lamedina, A. Ferrari. In: Porous Semiconductors. Science and Technology [Int. Conf.] (Mallorca, Spain, 1998) abstr. 0-70
Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)
R.B. Bjorklund, S. Zangooie, H. Arwin. Appl. Phys. Lett., 69, 3001 (1996)
V.A. Tolmachev. Proc. SPIE, 3094, 281 (1997)
V.A. Tolmachev. Optics Commun., 153, 39 (1998)
D.E. Aspnes, J.B. Theeten. J. Appl. Phys., 50, 4928 (1979)
R. Zanoni, G. Righini, G. Matogno, L. Shirone, G. Sotgiu, F. Rallo. E-MRS (Strasbourg, 1998) B-I/P.16
F. Ferrieu, A. Halimaoui, D. Bensahel. Sol. St. Commun., 84, 293 (1992)
В.А. Лабунов, В.П. Бондаренко, В.Е. Борисенко. Зарубеж. электрон. техн., вып. 15(185) (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель