Вышедшие номера
Зонная структура и пространственное распределение заряда в AlxGa1-xN
Дейбук В.Г.1, Возный А.В.1, Слетов М.М.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 13 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Методом локального модельного псевдопотенциала в модифицированном приближении виртуального кристалла рассчитана энергетическая зонная структура твердого раствора замещения AlxGa1-xN. Это дало возможность объяснить зависимость ширины запрещенной зоны Eg от содержания AlN x и температуры, а также прогиб в зависимости Eg(x). При помощи пространственного распределения заряда валентных электронов исследована динамика химической связи в соединениях. Результаты расчетов хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными.