Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зонная структура и пространственное распределение заряда в Al_xGa_1-xN

Дейбук В.Г.¹, Возный А.В.¹, Слетов М.М.¹

¹Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина

Поступила в редакцию: 13 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом локального модельного псевдопотенциала в модифицированном приближении виртуального кристалла рассчитана энергетическая зонная структура твердого раствора замещения Al_xGa_1-xN. Это дало возможность объяснить зависимость ширины запрещенной зоны E_g от содержания AlN x и температуры, а также прогиб в зависимости E_g(x). При помощи пространственного распределения заряда валентных электронов исследована динамика химической связи в соединениях. Результаты расчетов хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными.

S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997)
B. Monemar. J. Cryst. Growth, 189-190, 1 (1998)
F. Ren, C.R. Abernathy, J.M. Van Hove, P.P. Chow, R. Hickman, Klaasen, R.F. Kopf, Hyun Cho, K.B. Jung, J.R. La Roche, R.G. Wilson, J. Han, R.J. Shul, A.G. Baca, S.J. Pearton. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 41 (1998)
А.В. Добрынин, М.М. Слетов, В.В. Смирнов. ЖПС, 55, 861 (1991)
Yong-Nian Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 48, 4335 (1993)
E.A. Albanesi, W.R.L. Lambrecht, B. Segall. Phys. Rev. B, 48, 17 841 (1993)
M. Malachowski, I.R. Kityk, B. Sahraoui. Phys. St. Sol. (b), 207, 405 (1998)
А.П. Дмитриев, Н.В. Евлахов, А.С. Фурман. ФТП, 30, 106 (1996)
M.L. Cohen, J.R. Chelikowsky. Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors (Berlin, Springer Verlag, 1988)
S.Bloom. J. Phys. Chem. Sol., 32, 2027 (1971)
M. Schluter, J.R. Chelikowsky, S.G. Lui, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 12, 4200 (1975)
S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, I.R. Ortenburger. Phys. St. Sol. (b), 66, 161 (1974)
B. Monemar. Phys. Rev. B, 10, 676 (1974)
T.-F. Huang, J.S. Harris, Jr. Appl. Phys. Lett., 72, 1158 (1998)
N.W. Ashcroft, N.D. Mermin. Solid State Physics (Holt Saunders, Philadelphia, 1976)
S. Strite, H. Markoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
Y. Koide, H. Itoh, M.R. Khan, K. Hiramatu, N. Sawaki, I. Akasaki. J. Appl. Phys., 61, 4540 (1987)
G. Steude, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, H. Amano, I. Akasaki. Phys. St. Sol. (b), 205, R7 (1997)
D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 8, 5747 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель