Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электролюминесценция светодиодов lambda=3.3/ 4.3 мкм на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP в интервале температур 20/ 180^oC

Айдаралиев М.¹, Зотова Н.В.¹, Карандашев С.А.¹, Матвеев Б.А.¹, Ременный М.А.¹, Стусь Н.М.¹, Талалакин Г.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы СД lambda_max=3.4, 4.3 мкм (t=20^oC) при повышенных температурах. Показано, что для описания их работы в интервале температур t=20/ 180^oC применимы классические представления об инжекционных источниках излучения и процессах рекомбинации носителей заряда. Температурные зависимости обратных токов ВАХ в области насыщения соответствуют возрастанию собственной концентрации носителей заряда в теории Шокли. Спектры излучения описываются в предположении прямых переходов зона-зона, сферически симметричных зон и термализованных носителей заряда. W-I-характеристики пропорциональны I^2/3, что говорит о доминирующей роли безызлучательной оже-рекомбинации. Мощность излучения экспоненциально падает с температурой, что характерно для CHSH- и CHCC-процессов.

H.J. Gerritsen, C.C. Taylor, S.C. Reuman, E.E. Crisman. Proc. Second W.V.V. Conf. on Coal Mine Electrotechn., June 1974. p. 21--1
Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. ФТП, 3, 1370 (1969)
B. Matveev, M. Aidaraliev, G. Gavrilov, N. Zotova, S. Karandashov, G. Sotnikova, N. Stus', G. Talalakin, N. Il'inskaya, S. Aleksandrov. Sensors \& Actuators B, 51, 233 (1998)
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 17 (23), 75 (1991)
Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. РЭ, 8, 1602 (1963)
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24 (6), 88 (1998)
Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 21 (6), 1079 (1987)
O. Madelung. Physics of III--V Compounds (John Wiley \& Sons, N.Y.--London--Sydney, 1964)
D. Garbuzov, M. Maiorov, H. Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J. Connolly. Appl. Phys. Lett., 74 (20), 2990 (1999)
М. Айдаралиев, Г.Г. Зегря Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26 (2), 246 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель