Взаимодействие между медью и сурьмой в твердом растворе на основе германия с образованием заряженного комплекса
Глазов В.М.1, Потемкин А.Я.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Предложена схема взаимодействия между некоторыми легирующими элементами в твердых растворах на основе полупроводников, включающая реакцию образования заряженного комплекса при введении в раствор двухзарядных доноров или акцепторов. С использованием выражения для закона действующих масс реакций ионизации легирующих добавок и взаимодействия между ними, а также с учетом электронно-дырочного взаимодействия и условия электронейтральности полупроводника получены аналитические выражения зависимости растворимости доноров от содержания акцепторов, и наоборот. Полученные соотношения апробированы на примере системы Ce-Cu-Sb. Показано, что рассчитанные на основе развитой теории и экспериментальные значения растворимости хорошо согласуются между собой.
- В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
- В.М. Глазов, А.Я. Потемкин, А.И. Киселев. ДАН СССР, 223 (2), 377 (1975)
- В.М. Глазов, А.И. Киселев, А.Я. Потемкин. ЖФХ, 51 (11), 2788 (1977)
- В.М. Глазов, А.И. Киселев, А.Я. Потемкин. Электрон. техн., сер. Материалы, N 9, 64 (1975)
- Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
- Н.И. Шадеев, Т.И. Грехова, А.Я. Потемкин. Электрон. техн., сер. Материалы, N 3, 63 (1974)
- H. Reiss, C. Fuller. Phys. Rev., 97, 559 (1956)
- H. Reiss, C. Fuller. J. Metals, 8, 256 (1956)
- H. Reiss, C. Fuller, F. Morin. Bell Syst. Techn., 35, 535 (1956)
- В.М. Глазов, Г.Л. Малютина, А.И. Киселев. ЖФХ, 44, 1051 (1970)
- В.М. Глазов, Г.Л. Малютина, А.И. Киселев. Электрон. техн., сер. 14 Материалы, N 2, 53 (1968)
- В.М. Глазов, А.И. Киселев. Электрон. техн., сер. 14 Материалы, N 2, 52 (1970)
- В.М. Глазов, А.И. Киселев, В.Н. Черняев. Электрон. техн., сер. 14 Материалы, N 3, 37 (1970)
- А.Г. Курош. Курс высшей алгебры (М., Наука, 1968)
- Л.Н. Окунев. Высшая алгебра (М., Просвещение, 1966)
- А.Я. Потемкин, В.И. Потапов. ФТТ, 2, (1960)
- А.Я. Потемкин, Е.В. Мельников. В сб.: Легированные полупроводники (М., Наука, 1975) с. 60
- В.М. Глазов, В.Н. Вигдорович. Микротвердость металлов и полупроводников (М., Металлургия, 1969)
- А.С. Охотин, А.С. Пушкарский, В.В. Горбачев. Теплофизические свойства полупроводников (М., Атомиздат, 1972)
- Г.Б. Бокий, А.Я. Угай и др. Кристаллохимические, физико-химические, физические свойства полупроводников (М., Изд-во стандартов, 1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук