Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние диффузионной длины и поверхностной рекомбинации на фотоплеохроизм анизотропных кристаллов

Медведкин Г.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 октября 1999 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены формулы и проведен численный анализ зависимостей коэффициента фотоплеохроизма P_i однородного анизотропного кристалла от диффузионной длины L и скорости поверхностной рекомбинации. Поляризационная фотопроводимость рассмотрена в области слабого и сильного оптического поглощения. Показано, что спектральный контур фотоплеохроизма следует кривой оптического дихроизма при слабом поглощении, но отклоняется от него или даже инвертирует знак в случае заметной рекомбинации носителей заряда на поверхности кристалла при сильном поглощении. Рассмотрены предельные случаи нулевой и высокой скорости поверхностной рекомбинации для зависимости коэффициента фотоплеохроизма от диффузионной длины. Зависимости проанализированы на основе типичных параметров тройных алмазоподобных полупроводников II-IV-V₂.

С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Полупроводниковые кристаллы фотоприемников линейно-поляризованного излучения (Ташкент, Изд-во "ФАН" АН Узбекистана, 1992)
И.П. Жадько и др. ФТТ, 7, 1778 (1965)
G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud, M.A. Tairov. Phys. St. Sol. (a), 115, 11 (1989)
К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
Г.А. Медведкин. Автореф. докт. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1993)
Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТТ, 31, 108 (1989)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 483 (1999)
G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель