Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термоэдс n-InSb в поперечном квантующем магнитном поле и при большом градиенте температуры
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 27 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Исследована термоэдс электронного антимонида индия при Tav=160 K и различных градиентах температуры в поперечном магнитном поле (0-80) кЭ. Установлено, что при малом градиенте температуры электронная доля термоэдс подчиняется теории, учитывающей спин электрона, а при большом градиенте температуры к ней добавляется величина, обусловленная изменением термоэдс Бенедикса в магнитном поле.
- Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТТ, 3, 3743 (1961)
- И.Л. Дричко, И.В. Мочан. ФТТ, 6, 1902 (1964)
- S.M. Puri, T.H. Geballe. Phys. Rev., 136, 1767 (1964)
- Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТП, 1, 26 (1967)
- М.М. Гаджиалиев. Изв. вузов. Физика, N 3, 21 (1993)
- А.И. Ансельм, Р.Г. Тарханян. ФТТ, 6, 3357 (1964)
- Б.М. Аскеров. Электронные явления в полупроводниках (М., Наука, 1985) с. 223
- М.М. Гаджиалиев, В.А. Елизаров. ФТП, 32, 1313 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
