Эдс горячих носителей, обусловленная модуляцией поверхностного потенциала в сильном СВЧ поле
Гулямов Г.1, Дадамирзаев М.Г.1, Бойдедаев С.Р.1
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Исследовано влияние искажения греющей волны на рекомбинационные токи и эдс, генерируемые на p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что высокочастотные возмущения поверхностного потенциала и высоты p-n-перехода греющей волной в режиме тока короткого замыкания приводят к уменьшению эффективной высоты барьера, а в режиме холостого хода к аномально большим значениям эдс.
- А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9 (2), 216 (1975)
- С.П. Ашмонтас. Электроградиентные явления в полупроводниках (Вильнюс, Москлас, 1984)
- Г. Гулямов. ФТП, 30 (7), 1279 (1996)
- Г. Гулямов, Б. Хамидова. ФТП, 30 (5), 169 (1996)
- Г. Гулямов. ФТП, 30 (3), 569 (1996)
- В.И. Смирнов. Курс высшей математики (М., Наука, 1974) т. 1, с. 480
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26 (6), 1041 (1992)
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22 (11), 2001 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук