Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge_1-xSi_x с квантовыми ямами

Алешкин В.Я.¹, Андреев Б.А.¹, Гавриленко В.И.¹, Ерофеева И.В.¹, Козлов Д.В.¹, Кузнецов О.А.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете, Нижний Новгород, Россия

Поступила в редакцию: 6 сентября 1999 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследована зависимость энергий локализованных состояний акцепторов в квантовых ямах (напряженных слоях Ge в гетероструктурах Ge/Ge_1-xSi_x) от ширины квантовой ямы и от положения в ней. Проведен расчет спектра примесного поглощения в дальнем инфракрасном диапазоне. Сопоставление результатов расчета с наблюдаемыми спектрами фотопроводимости позволило оценить распределение акцепторов по квантовой яме, в частности сделать вывод о том, что акцепторы могут в значительной мере концентрироваться вблизи гетерограниц. Выполнен расчет спектра поглощения с учетом резонансных примесных состояний, позволивший объяснить наблюдаемые особенности в коротковолновой области спектра фотопроводимости переходами на резонансные энергетические уровни, "привязанные" к верхним подзонам размерного квантования.

Reeder, J.-M. Mercy, B.B. McCombe. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1690 (1988)
C. Guillemot. Phys. Rev. B, 31, 1428 (1985)
О.А. Кузнецов, Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова. Письма ЖТФ, 15 (21), 77 (1988)
J.P. Loehr, J. Singh. Phys. Rev. B, 41, 3695 (1990)
J.P. Loehr, Y.C. Chen, et al. Proc. 20^th Int. Conf. Phys. Semicond, 2, 1401 (1990)
A. Pasquarello, L.C. Andreani, R. Buczko. Phys. Rev. B, 40 (8), 5602 (1989)
Г.М. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 294
В.Н. Абакумов, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 76 (2), 657 (1976)
А.В. Осутин. Лазерная спектроскопия мелких доноров в арсениде галлия. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1988) с. 10
В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, Л.В. Парамонов. Письма ЖЭТФ, 65, 209 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель