Перенос носителей заряда в двухколлекторном магнитотранзисторе
Глауберман М.А.1, Козел В.В.1, Нахабин А.В.1
1Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 27 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Представлен численный анализ переноса носителей заряда в латеральных двухколлекторных магнитотранзисторах. Были получены результирующее распределение концентрации инжектированных носителей в базе магнитотранзистора при наличии магнитного поля, а также зависимость чувствительности прибора от размера эмиттера.
- И.М. Викулин, М.А. Глауберман, Н.А. Канищева. ФТП, 11, 645 (1977)
- A.W. Vinal, N.A. Masnari. IEDM Tech. Dig., 12, 308 (1982)
- Д. Мак-Кракен, У. Дорн. Численные методы и программирование на Фортране (М., Мир, 1977)
- И.М. Викулин, М.А. Глауберман, Н.А. Канищева, Г.А. Егиазарян, Ю.С. Манвелян. ФТП, 15, 399 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук