Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO₂

Качурин Г.А.¹, Яновская С.Г.¹, Ruault M.-O.², Гутаковский А.К.¹, Журавлев К.С.¹, Kaitasov O.², Bernas H.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²CSNSM-CNRS / IN2P3, Orsay, France

Поступила в редакцию: 1 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Люминесцирующие нанокристалллы Si, сформированные в слоях SiO₂, облучали электронами и ионами He⁺ с энергиями 400 и 25/1 30 кэВ соответственно. Действие облучения и последующих отжигов 600/ 1000^o C исследованы методами фотолюминесценции и электронной микроскопии. После малых доз (~1 смещение / нанокристалл) обнаружены гашение фотолюминесценции нанокристаллов, но одновременно рост их числа. После больших доз (~10³ смещений / нанокристалл) наблюдалась аморфизация, что не характерно для объемного Si. Обнаруженные явления объяснены генерацией точечных дефектов и их захватом границами Si-SiO₂. Фотолюминесценция нанокристаллов восстанавливается при температурах менее 800^oC, однако для кристаллизации преципитатов требуется около 1000^oC. Наблюдавшееся после отжига усиление фотолюминесценции объясняется суммированием интенсивностей фотолюминесценции от исходных нанокристаллов и от возникших вследствие облучения.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
L.Wang, C. Lin, P. Liu, Z. Zhou, S. Zou. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 445 (1994)
X.-M. Bao, H.-O. Yang, F. Yan. J. Appl. Phys., 79, 1320 (1996)
X.-M. Bao, H.-Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 63, 2246 (1993)
J.S. Barbour, D. Dimos, T.R. Guillinger, M.J. Kelly, S.S. Tsao. Appl. Phys. Lett., 59, 2088. (1991)
B.R. Mehta, M.K. Sahay, L.K. Malhotra, D.K. Avasthi, R.K. Soni. Thin. Sol. Films, 289, 95 (1996)
S. Tanaka, H. Koyama, N. Koshida. Appl. Phys. Lett., 73, 2334 (1998)
R.R. Kunz, P.M. Nitishin, H.R. Clark, M. Rothschild, B. Ahem. Appl. Phys. Lett., 67, 1766. (1995)
Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.И. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь, В.Е. Харциев. ФТП, 29, 1301 (1995)
А.А. Лебедев, А.М. Иванов, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 188 (1996)
J.-L. Maurice, A. Riviere, A. Alapini, C. Levy-Clement. Appl. Phys. Lett., 66, 1665 (1995)
Y.M. Huang. Appl. Phys. Lett., 71, 3850 (1997)
J.S. Fu, J.C. Mao, E. Wu, Y.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, G.G. Qin, G.S. Wui, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63, 1830 (1993)
T.M. Bhave, S.V. Bhoraskar, P. Singh, V.N. Bhoraskar. Nucl. Instrum. Meth. B, 132, 409 (1997)
В.В. Ушаков, В.А. Дравин, Н.Н. Мельник, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимашенко. ФТП, 31, 1126 (1997)
T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys., Lett., 66, 851 (1995)
G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Scorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 122, 571 (1997)
G.A. Kachurin, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, A.F. Leier, I.E. Tysсhenko, V.A. Volodin, W. Scorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 127 / 128, 583 (1997)
Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, А.Ф. Лейер. ФТП, 31, 730 (1997)
Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32, 1371 (1998)
T. Takamori, R. Messier, R. Roy. Appl. Phys. Lett., 20, 201 (1972)
A. Mineo, A. Matsuda, T. Kurosu, M. Kikuchi. Sol. St. Commun., 13, 329 (1973)
С.И. Романов, Л.С. Смирнов. ФТП, 10, 876 (1976)
H.A. Atwater, W.L. Brown. Appl. Phys. Lett., 56, 30 (1990)
L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-S. Li, X.-Q. Zhang, N.-B. Min. J. Luminesc., 68, 199 (1996)
Г.А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р.А. Янков, И.Е. Тысченко, Х. Фреб, Т. Беме, К. Лео. ФТП, 32, 439 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель