Вышедшие номера
Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg3In2Te6
Грушка О.Г.1, Горлей П.М.1, Бесценный А.В.1, Грушка З.М.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 4 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Рассмотрены особенности растворимости гадолиния в процессе роста кристалла Hg3In2Te6<Gd>. Отмечено, что максимально возможная концентрация гадолиния в твердой фазе составляет 2.3· 1019 см-3. Показано, что с ростом степени легирования возникают деформации и напряжения кристаллической решетки, коррелирующие с концентрацией примеси. Легирование практически не изменяет кинетические параметры и положение уровня Ферми, который расположен вблизи середины запрещенной зоны. Наблюдаемое поглощение света в области энергий фотонов, меньших ширины запрещенной зоны, объясняется наличием в запрещенной зоне хвостов плотности состояний. Особенности спектров поглощения интерпретируются с использованием теории взаимодействия света с неупорядоченным сильно компенсированным полупроводником. Дополнительное бесструктурное поглощение в области прозрачности обусловлено малоугловым рассеянием света на включениях, образованных заряженными примесями.