Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Статическая и высокочастотная поперечная проводимость изотипных кремниевых структур, полученных методом прямого сращивания
Стучинский В.А.1, Камаев Г.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 6 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Обсуждается возможность использования результатов измерения квазистатических вольт-амперных характеристик и высокочастотного импеданса симметричных по легированию бикристаллических структур, полученных методом прямого сращивания кремния, для одновременного определения электрофизических параметров границы сращивания (дифференциальной плотности поверхностных состояний nu(E)) и приграничных слоев (распределения концентрации легирующей примеси в окрестности границы). Обращается внимание на то обстоятельство, что отношение статического тока к высокочастотной проводимости представляет собой параметр, весьма чувствительный к наличию "проколов" (участков с повышенной проводимостью) в потенциальном барьере границы сращивания. Экспериментально показано, что проводимость реальных бикристаллических структур, полученных прямым сращиванием кремния, в значительной степени определяется наличием таких "проколов", что должно учитываться при определении зависимости nu(E) наряду с возможным подлегированием приграничных слоев в процессе сращивания.
- C.H. Seager, G.E. Pike. Appl. Phys. Lett., 35 (9), 709 (1979)
- S. Bengtsson, O. Engstrom. J. Appl. Phys., 66 (3), 1231 (1989)
- S. Bengtsson, O. Engstrom. Japan. J. Appl. Phys., 30 (2), 356 (1991)
- Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, Ю.Н. Далуда, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 18 (14), 51 (1992)
- K. Nagai, H. Takato, Y. Hayashi. Japan. J. Appl. Phys., 31, L1529 (1992)
- К.Л. Енишерлова, Т.Ф. Русак, Г.Г. Шмелева, И.Г. Иерусалимчик. Микроэлектроника, 23(6), 46 (1994)
- X. Mitani, M. Katayama, K. Nakazawa. Proc. 3rd Int. Symp. on Semicond. Wafer Bonding: Physics and Applications (Pennington, 1995) p. 96
- C. Okada, Y. Kawai, E. Morita, Y. Saitoh. Proc. 3rd Int. Symp. on Semicond. Wafer Bonding: Physics and Applications (Pennington, 1995) p. 363
- A. Laporte, G. Sarrabayrose, L. Lescouzeres, A. PeyreLavigne, M. Benamara, A. Rocher, A. Claverie. Proc. 6th Int. Symp. on Power Semicond. Devices and IC's (Davos, 1994)
- S. Bengtsson, G.I. Andersson, M.O. Andersson, O. Engstrom. J. Appl. Phys., 72 (1), 124 (1992)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1 [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons, 1981) v. 1]
- W.E. Taylor, N.H. Odell, H.Y. Fan. Phys. Rev., 88 (4), 867 (1952)
- Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Физматгиз, 1961)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Inpurities in Semiconductors (N.Y.--London--Sydney--Toronto, John Wiley \& Sons, 1973)]
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- F.G. Stutzler, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 60 (11), 3910 (1986)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. ФТП, 10 (10), 1839 (1976)
- A. Broniatowski. Phys. Rev. B, 36 (11), 5895 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
