Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоответ и электролюминесценция структур кремний--<пористый кремний>--<химически осажденный металл>

Беляков Л.В.¹, Горячев Д.Н.¹, Сресели О.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 мая 2000 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотоэлектрические и электролюминесцентные свойства структур кремний-<пористый кремний> с химически осажденным металлическим контактом. Большая удельная площадь контакта и избирательное осаждение металла только на неквантово-размерные элементы структур обеспечивают лучшие фотоэлектрические характеристики фотодиодов, по сравнению со структурами с напыленным контактом, особенно в коротковолновой области спектра. Спектры электролюминесценции объясняются свойствами барьера металл-кремний при прямом смещении и двойной инжекцией носителей в квантово-размерные нанокристаллиты - при обратном.

J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 61 (4), 459 (1992)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27 (8), 1371 (1993)
P.M. Fauchet, J. von Behren, K.D. Hirschman, L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta. Phys. St. Sol. (a), 165 (3), 3 (1998)
D. Dimova-Malinovska. J. Luminesc., 80, 207 (1999)
D. Dimova-Malinovska, M. Tzolov, N. Tzenov, D. Nesheva. Thin Sol. Films, 297, 285 (1997)
A. Loni, A.J. Simons, T.I. Cox, P.D.J. Calcott, L.T. Canham. Electron. Lett., 31, 1288 (1995)
A.J. Simons, T.I. Cox, A. Loni, L.T. Canham, M.J. Uren, C. Reeves, A.G. Gullis, P.D.J. Calcott, M.R. Houlton, J.P. Newey. In: Advanced Luminescent Materials, ed. by D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshida and S.R.J. Brueck, PV 95--25, (Pennington, NJ, USA, 1996) p. 73
L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 68 (15), 2058 (1996)
T. Oguro, H. Koyama, T. Ozaki, N. Koshida. J. Appl. Phys., 81 (3), 1407 (1997)
Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупровдников (М., Высш. шк., 1982) с. 450
А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые преобразователи (М., Сов. радио, 1971) гл. 4, с. 160

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель