Инфракрасная томография времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках полупроводникового кремния
Ахметов В.Д.1, Фатеев Н.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Представлен неразрушающий метод измерения трехмерной картины распределения времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках кремния длиной до 1 м и диаметром до 0.3 м. Физической основой метода является инфракрасное зондирование слитка с полированными участками поверхности скрещенными лучами. Один луч, импульсно-периодический, с длиной волны 1.15-1.28 мкм, создает избыточные носители в стержнеобразной области, расположенной вдоль траектории луча в слитке, в то время как другие лучи, непрерывные и более длинноволновые, отслеживают временную и пространственную кинетику избыточных носителей в небольшом участке стержнеобразной области и вблизи нее (через поглощение на свободных носителях). В силу удаленности измеряемой области от поверхности слитка метод свободен от необходимости учета поверхностной рекомбинации. Показаны возможности метода на слитке с известной пространственной неоднородностью времени жизни носителей. Достигнуто пространственное разрешение в несколько мм.
- J. Linnros. J. Appl. Phys., 84, 275 (1998)
- V. Grivikas, J. Linnros, A. Vigelis, J. Seckus, J.A. Tellefsen. Sol. St. Electron., 35, 299 (1992)
- Ю.И. Гусев, С.И. Мареников, В.П. Чеботаев. Письма ЖТФ, 3, 305 (1978)
- Properties of Silicon. EMIS Datareviews Series N 4 (London--N.Y., INSPEC, 1988) p. 171
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.