Исследование физической природы фотомеханического эффекта
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1, Кутивадзе Н.Г.1
1Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 20 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Приведены результаты исследований фотомеханического эффекта, проведенных на монокристаллическом Si единой методикой. Исследовались зависимости фотомеханического эффекта от спектрального состава и интенсивности света, остаточный фотомеханический эффект (сохранение размягчения кристалла в течение некоторого времени), влияние освещения на анизотропию микротвердости и температурная зависимость фотомеханического эффекта. На основе проведенных исследований и анализа литературных данных установлена корреляция между величинами фотомеханического эффекта и соответствующей концентрации возбужденных светом неравновесных носителей (так называемых антисвязывающих квазичастиц), на основе которой предложен механизм, согласно которому уменьшение микротвердости в результате освещения в ковалентных кристаллах вызвано в основном ослаблением и изотропизацией химических связей антисвязывающими квазичастицами, образованными светом.
- G.C. Kuczynsky, R.H. Hochman. Phys. Rev., 108, 946 (1957)
- П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько. ФТТ, 4, 2656 (1962)
- В.М. Бейлин, Ю.Х. Векилов. ФТТ, 5, 2372 (1963)
- П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько, К.И. Федоренько. ФТТ, 8, 1732 (1966)
- В.А. Дроздов, Л.А. Мозговая, А.Л. Рвачев. ДАН СССР, 177, 168 (1967)
- И.А. Доморяд. Радиационная физика неметаллических кристаллов (Минск, Наука и техн., 1970) с. 131
- Н.Я. Горидько, Н.Н. Новиков. УФЖ, 9, 1550 (1972)
- В.И. Круглов. Уч. зап. ЛГУ, 386, 119 (1976)
- А.Б. Герасимов, В.Б. Голубков, Э.Р. Кутелия, В.П. Минеев, Э.М. Мкртычян, А.А. Церцвадзе. Письма ЖТФ, 6, 58 (1980)
- A.B. Gerasimov. In: Proc. Fourth Int. Conf. Materials of Science Forum (N.Y., USA, 1990) v. 65--66, p. 47
- У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 59
- Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 132
- А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, Г.Д. Чирадзе. Сообщ. АН Грузии, 142, 53 (1991)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 40, 503 (1998)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 42 (4), 683 (2000)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980) с. 149
- П.Д. Уоррен, С.Г. Робертс, П.Б. Хирш. Изв. АН СССР, сер. физ., 51, 812 (1987)
- Г.Д. Чирадзе. Автореф. канд. дис. (Тбилиси, 1992)
- A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Bul. of the Georgian Acad. of Sciences, 156, 391 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук