Влияние серы и селена на рельеф поверхности диэлектрических пленок и электрические характеристики структур металл--диэлектрик--p-GaAs
Панин А.В.1, Шугуров А.Р.1, Калыгина В.М.2
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Исследовано влияние атомов серы и селена на морфологию поверхности диэлектрических слоев, нанесенных на поверхность GaAs подложки. Показано, что введение халькогенов в приповерхностную область полупроводника приводит к выравниванию рельефа поверхности диэлектрических пленок. Одновременно наблюдается снижение плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-p-GaAs. Результат действия атомов серы и селена зависит от материала диэлектрика.
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 11, 1281 (1998)
- Б.И. Бедный. Соросовский образовательный журнал, 7, 141 (1998)
- V.I. Gaman, V.M. Kalygina, A.V. Panin. Sol. St. Electron., 43, 583 (1999)
- Э.В. Буц, Л.Н. Возмилова, В.И. Митин и др. Электрон. техн., сер. Материалы, 9, 46 (1982)
- Л.В. Храмова, Т.П. Смирнова, Е.Г. Еремина. Неорг. матер., 28, 1662 (1992)
- А.В. Панин, Н.А. Торхов. ФТП, 34, 698 (2000)
- В.И. Гаман, Н.Н. Иванова, В.М. Калыгина, Е.Б. Судакова. Изв. вузов. Физика, 11, 99 (1992)
- Е.Д. Васильева, М.Н. Колотов, В.И. Соколов и др. Микроэлектроника, 21, 74 (1992)
- В.А. Бражник, Т.А. Долгова, А.Б. Спиридонов. Электрон. техн., сер. Микроэлектронные устройства, 1, 48 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
