Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Долгоживущие фотоэффекты в p-i-n гетероструктурах GaAs/AlGaAs с двойными квантовыми ямами

Дорожкин С.И.¹, Тимофеев В.Б.¹, Хвам Й.²

¹Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Danmarks Tekniske Universitet, Microelectronics Center, III--V Nanolab, Lyngby, Denmark

Поступила в редакцию: 13 июня 2000 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В планарной p-i-n гетероструктуре GaAs/AlGaAs с двумя туннельно-связанными GaAs квантовыми ямами в условиях лазерной подсветки (lambda=633 нм) обнаружены скачки электрической емкости между p- и n-областями, происходящие как при изменении температуры (в области T~2 K), так и при изменении приложенного к структуре постоянного напряжения. Обнаружен эффект памяти в исследуемом явлении, проявляющийся в долгом времени жизни обнаруженных аномалий после выключения подсветки. Выполнены самосогласованные расчеты распределения заряда и электрического поля для структуры, в которой в слоях AlGaAs присутствует донорная примесь, ответственная за возникновение DX-центров, обеспечивающих долгоживущую фотопроводимость. Продемонстрирована возможность появления скачков емкости в такой структуре и определены значения параметров, при которых они появляются.

Y.J. Chen, E.S. Koteles, B.S. Elman, C.A. Armieto. Phys. Rev. B, 36, 4562 (1987)
J.E. Golub, K. Kash, J.P. Harbison, L.T. Flores. Phys. Rev. B, 41, 8564 (1990)
T. Fukuzawa, E.E. Mendes, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett., 64, 3066 (1990)
J.A. Kash, M. Zachau, E.E. Mendes, J.M. Hong, T. Fukuzawa. Phys. Rev. Lett., 68, 2247 (1991)
L.V. Butov, A. Zrenner, G. Abstreiter, G. Boem, G. Weimann. Phys. Rev. Lett., 73, 304 (1994)
V.B. Timofeev, A.V. Larionov, A.S. Ioselevich, J. Zeman, G. Martinez, J. Hvam, K. Soerensen. Письма ЖЭТФ, 67, 630 (1998)
V.B. Timofeev, A.V. Larionov, M. Grassi Alessi, M. Capizzi. Phys. Rev. B, 60, 8897 (1999); Phys. Rev. B, 61, 8420 (2000)
Yu.E. Lozovik, V.I. Yudson. ЖЭТФ, 71, 738 (1976)
D. Yoshioka, and A.H. MacDonald. J. Phys. Soc. Japan, 59, 4211 (1990)
X.M. Chen, J.J. Quinn. Phys. Rev. Lett., 67, 895 (1991)
Xuejun Zhu, P.B. Littlewood, M.S. Hybersen, T. Rice. Phys. Rev. Lett., 74, 1633 (1995)
J. Fernandez-Rossier, C. Tejedor. Phys. Rev. Lett., 78, 4809 (1997)
Lerwen Liu, L. Swierkowski, D. Neilson. Physica B, 249--251, 594 (1998)
П.С. Дорожкин. Дипломная работа (МФТИ, 1999)
M.I. Nathan. Sol. St. Electron., 29, 167 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель