Вышедшие номера
Долгоживущие фотоэффекты в p-i-n гетероструктурах GaAs/AlGaAs с двойными квантовыми ямами
Дорожкин С.И.1, Тимофеев В.Б.1, Хвам Й.2
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Danmarks Tekniske Universitet, Microelectronics Center, III--V Nanolab, Lyngby, Denmark
Поступила в редакцию: 13 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

В планарной p-i-n гетероструктуре GaAs/AlGaAs с двумя туннельно-связанными GaAs квантовыми ямами в условиях лазерной подсветки (lambda=633 нм) обнаружены скачки электрической емкости между p- и n-областями, происходящие как при изменении температуры (в области T~2 K), так и при изменении приложенного к структуре постоянного напряжения. Обнаружен эффект памяти в исследуемом явлении, проявляющийся в долгом времени жизни обнаруженных аномалий после выключения подсветки. Выполнены самосогласованные расчеты распределения заряда и электрического поля для структуры, в которой в слоях AlGaAs присутствует донорная примесь, ответственная за возникновение DX-центров, обеспечивающих долгоживущую фотопроводимость. Продемонстрирована возможность появления скачков емкости в такой структуре и определены значения параметров, при которых они появляются.