Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция комплексов Cu_GaTe_As и Cu_GaSn_Ga в n-GaAs при резонансном поляризованном возбуждении

Аверкиев Н.С.¹, Гуткин А.А.¹, Седов В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 июля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована при 77 K фотолюминесценция образцов GaAs:Te:Cu и GaAs:Su:Cu n-типа с концентрацией электронов ~ 10¹⁸ см^-3. В спектре фотолюминесценции при межзонном возбуждении доминировала широкая полоса с максимумом при энергии фотонов 1.30 эВ (GaAs:Te:Cu) или 1.27 эВ (GaAs:Sn:Cu), вызванная рекомбинацией электронов с дырками, локализованными на комплексах Cu_GaTe_As или Cu_GaSn_Ga. Обнаружено, что длинноволновый край спектра возбуждения этой фотолюминесценции при энергиях фотонов менее ~1.4 эВ определяется оптическим выбросом электронов с комплексов в зону проводимости или на мелкое возбужденное состояние. Значения поляризации фотолюминесцении при возбуждении поляризованным светом из этой спектральной области приводят к заключению, что исследованные комплексы не имеют дополнительных дисторсий, вызванных взаимодействием дырки, связанной на комплексе в излучающем состоянии, с локальными фононами низкой симметрии. Это отличает комплексы Cu_GaTe_As и Cu_GaSn_Ga от комплексов, содержащих вместо атомов Cu вакансию галлия (V_Ga). Такое различие отражает различную степень взаимодействия дырки, локализованной на орбитали изолированного глубокого акцептора в состоянии, соответствующем его состоянию в комплексе перед излучением (Cu^-_Ga и V^2-_Ga), с низкосимметричными колебаниями атомов. Возмущение орбиталей дырки, вносимое донором в комплексе, практически не изменяет это взаимодействие.

Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
А.А. Гуткин, Т. Пиотровский, Е. Пулторак, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 32, 40 (1998)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 33, 42 (1999)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34 (10), 1201 (2000)
A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. In: Defects in Semiconductors 18, ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida (Mater. Sci. Forum., v. 196--201, pt 1, 1995) p. 231
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
H.J. Queisser, C.S. Fuller. J. Appl. Phys., 37, 4895 (1966)
К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович, В.Е. Родионов. ФТП, 11, 35 (1977)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, А.А. Исаков, Э.М. Магеррамов, В.Е. Седов. ФТП, 19, 893 (1985)
М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Гос. науч.-техн. изд-во лит-ры по черной и цветной металлургии, 1962)
А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
И.Я. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТТ, 27, 748 (1985)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 58 (1991)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов, Н.А. Смирнов, А.Ф. Цацульников. ФТП, 25, 1976 (1991)
Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 17, 418 (1983)
Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys. Rev. B, 45, 1645 (1992)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 33, 1323 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель