Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Новый магнитный полупроводник Cd_1-xMn_xGeP₂

Медведкин Г.А.^1,2, Ишибаши Т.², Ниши Т.², Сато К.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 18 Токио, Япония

Поступила в редакцию: 8 августа 2000 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выращен и исследован новый полупроводниковый материал, представляющий собой твердый раствор в группе тройных алмазоподобных полупроводников с переходным элементом Mn. Согласно рентгеновским дифракционным измерениям, кристаллическая структура подобна базовому материалу CdGeP₂ с решеткой халькопирита. Межплоскостные расстояния и постоянная решетки снижаются с увеличением концентрации марганца: a=5.741 Angstrem ->5.710 Angstrem -> 5.695 Angstrem в ряду соединений CdGeP₂->Cd_1-xMn_x GeP₂->Cd_1-yMn_yGeP₂ (x<y). Методами электронной микроскопии и энергетической дисперсии рентгеновских лучей исследован состав на поверхности и концентрационные профили в глубину для химических элементов четверной системы Cd-Mn-Ge-P. На глубине 0.4 мкм отношение молекулярных концентраций марганца и кадмия составляет Mn/Cd = 0.2.

O.G. Folberth. Patent BRG No. 1.044.980, kl. 21g 11/02 (November 14, 1955)
Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
Landolt-Bornstein. Semiconductors: Physics of Ternary Compounds, ed. by O. Madelung (Berlin--Heidelberg, Springer Verlag, 1985) v. 17h
Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Полупроводниковые кристаллы фотоприемников линейно поляризованного излучения (Ташкент, ФАН, 1992)
Abstracts 12th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (Taiwan, March 13--17, 2000) [Proc. ICTMC-12, Special issue. Jap. J. Appl. Phys. (2000)]
K. Sato, H. Karayama-Yoshida. Jap. J. Appl. Phys., 39, L555 (2000)
G.A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa, K. Sato. Jap. J. Appl. Phys., 39, L949 (2000)
K. Sato, G.A. Medvedkin, T. Ishibashi. Proc. Int. Conf. on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASP 2000), Sendai, Japan, Sept. 13--15, 2000

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель