Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках

Воловичев И.Н.^1,2, Гуревич Ю.Г.²

¹Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
²Departamento de Fi sica, CINVESTAV-IPN, Mexico, D.F., Mexico

Поступила в редакцию: 22 июня 2000 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

PDF версия

Сформулирован единый методический подход к изучению явлений переноса в полупроводниках. Проанализированы различные модели рекомбинационных процессов, используемые при изучении трнспортных явлений и установления равновесия в полупроводниковых структурах. Приведены новые выражения, описывающие рекомбинационные процессы в стационарных режимах в произвольных температурных полях. Проанализирован процесс рекомбинации в теории горячих носителей, когда температуры носителей тока и фононов не совпадают между собой. Изучены проявления условия квазинейтральности в термодинамическом равновесии и в явлениях переноса.

Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов, Г. Эспехо, О.Ю. Титов, А. Мериуц, ФТП, 34, 783 (2000)
В.Л. Бонч--Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
R.A. Smith. Semiconductors (University Press, Cambridge, 1961)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
И. Аут, Д. Генцов, К. Герман. Фотоэлектрические явления (М., Мир, 1980)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., ГИФМЛ, 1963)
D.A. Neamen. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, ed. by Richard D. Irwin (Boston, 1992)
С. Зи Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Yu.G. Gurevich, G.N. Logvinov, O.I. Lubimov, O.Yu. Titov. Phys. Rev. B, 51, 6999 (1995)
Yu.G. Gurevich. J. Thermoelectricity, N 2, 5 (1997)
I.M. Раренко, С.Л. Королюк, В.М. Кошкiн, С.С. Москалюк. Науковий вiсник Чернiвецького унiверситету, Фiзика. N 29, 45 (1998)
В.П. Силин, А.А. Рухадзе. Электромагнитные свойства плазмы и плазмоподобных сред (М., Госатомиздат, 1961)
Yu.G. Gurevich, I.N. Volovichev. Phys. Rev. B, 60, 7715 (1999)
W. Shockley, W. T. Read, Phys. Rev., 87, 835 (1952)
I.N. Volovichev, L. Villegas, G. Gonzalez de la Cruz, Yu.G. Gurevich. J. Appl. Phys. (in press)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель