Вышедшие номера
Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках
Воловичев И.Н.1,2, Гуревич Ю.Г.2
1Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Departamento de Fi sica, CINVESTAV-IPN, Mexico, D.F., Mexico
Поступила в редакцию: 22 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Сформулирован единый методический подход к изучению явлений переноса в полупроводниках. Проанализированы различные модели рекомбинационных процессов, используемые при изучении трнспортных явлений и установления равновесия в полупроводниковых структурах. Приведены новые выражения, описывающие рекомбинационные процессы в стационарных режимах в произвольных температурных полях. Проанализирован процесс рекомбинации в теории горячих носителей, когда температуры носителей тока и фононов не совпадают между собой. Изучены проявления условия квазинейтральности в термодинамическом равновесии и в явлениях переноса.