Вышедшие номера
Исследование электрофизических и оптических свойств delta-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [211] поверхностях (111)A GaAs
Галиев Г.Б.1, Мокеров В.Г.1, Ляпин Э.Р.1, Сарайкин В.В.1, Хабаров Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Выполнены электрофизические и фотолюминесцентные исследования delta-Si-легированных структур GaAs, выращенных методом МЛЭ при различных соотношениях парциальных давлений PAs/PGa=gamma на подложках с ориентациями (111)A точно и разориентированных в направлении [211]. Измерения по эффекту Холла показыают, что проводимость изменяется от p- к n-типу при увеличении давления As (т. е. gamma). Наблюдаемые изменения формы спектров фотолюминесценции интерпретированы в рамках кинетического подхода, базирующегося на различии плотности свободных химических связей на террасах и ступеньках вицинальной поверхности, возникающих на разориентированных в [211] направлении подложках.