Исследование электрофизических и оптических свойств delta-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [211] поверхностях (111)A GaAs
Галиев Г.Б.1, Мокеров В.Г.1, Ляпин Э.Р.1, Сарайкин В.В.1, Хабаров Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Выполнены электрофизические и фотолюминесцентные исследования delta-Si-легированных структур GaAs, выращенных методом МЛЭ при различных соотношениях парциальных давлений PAs/PGa=gamma на подложках с ориентациями (111)A точно и разориентированных в направлении [211]. Измерения по эффекту Холла показыают, что проводимость изменяется от p- к n-типу при увеличении давления As (т. е. gamma). Наблюдаемые изменения формы спектров фотолюминесценции интерпретированы в рамках кинетического подхода, базирующегося на различии плотности свободных химических связей на террасах и ступеньках вицинальной поверхности, возникающих на разориентированных в [211] направлении подложках.
- J.S. Lee, H. Isshiki, T. Sugano, Y. Aoyagi. J. Cryst, Growth., 173, 27 (1997)
- Y. Okano, M. Shigeta, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, I. Fujimoto. Japan. J. Appl. Phys., 29, L1357 (1990)
- W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 47, 826 (1985)
- F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
- В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров. ФТП, 32, 1320 (1998)
- Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Hishine, I. Fujimoto, T. Suzuki. Japan. J. Appl. Phys., 28, L151 (1989)
- L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, 2846 (1995)
- J.C.M. Hening, Y.A.R.R. Kessener, P.M. Koenraad, M.R. Leys, W van der Vleuten, J.H. Wolter and A.M. Frens. Semicond. Sci. Technol., 6, 1079 (1991)
- J. Wagner, A. Fisher, K. Ploog. Phys. Rev. B, 42, 7280 (1990)
- C.H. Perry, K.S. Lee, W. Zhou, J.M. Worlock, A. Zrenner, F. Kosh, K. Ploog. Surf. Sci., 196, 677 (1988)
- A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev, D.I. Lubyshev, V.P. Migal, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semagin. Superlat. Microstruct., 10, (4), 399 (1991)
- J. Wagner, A. Ruiz, K. Ploog. Phys. Rev. B, 43, 12 134 (1991)
- R. Enderlein, G.M. Sipahi, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, I.F.L. Dias. Mater. Sci, Eng. B, 35, 396 (1995)
- D. Richards, J. Wagner, H. Schneider, G. Hendorfer, M. Maier, A. Fischer, K. Ploog. Phys. Rev. B, 47, 9629 (1993)
- G.M. Sipahi, R. Enderlein, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, E.C.F. da Silva, A. Levine. Phys. Rev. B, 57, 9168 (1998)
- L. Pavesi, N.H. Ky, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, J. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
- Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, В.К. Неволин, В.В. Сарайкин, Ю.В. Слепнев. ФТП, 34, (7), 769 (2000)
- J. Harrison, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. J. Appl. Phys., 75, 3151 (1994)
- H. Birey, J. Sites. J. Appl. Phys., 51, 619 (1980)
- L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук