Проводимость электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик--металл
Аронзон Б.А.1, Бакаушин Д.А.2, Веденеев А.С.2, Давыдов А.Б.1, Мейлихов Е.З.1, Чумаков Н.К.1
1РНЦ "Курчатовский институт", Институт молекулярной физики, Москва, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Рассмотрены закономерности перколяционного перехода в квазидвумерных (2D) электронных системах (структура металл-нитрид-оксид-полупроводник с инверсионным n-каналом) с сильным электростатическим флуктуационным потенциалом и длиной затвора, меньшей радиуса корреляции перколяционного кластера, когда проводимость структур контролируется одиночными перевальными областями флуктуационного потенциала. В рамках формализма Landauer-Buttiker проанализированы экспериментальные зависимости проводимости от потенциала полевого электрода и температуры. Экспериментально определены энергетические параметры седловых областей флуктуационного потенциала и эффективная плотность электронных состояний (Nss propto m/pih2) вблизи уровня перколяции. Продемонстрировано согласие результатов экспериментов и предложенной статистической модели формирования седловых областей флуктуационного потенциала в квази-2D системах. Показано, что по мере приближения к порогу перколяции, седла превращаются в желоба, вытянутые в направлении пути протекания.
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. с. 377
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991) с. 632
- В.М. Пудалов. Письма ЖЭТФ, 66, 168 (1997)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- Y. Meir. Phys. Rev. Lett., 83, 3506 (1999)
- Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков, В.В. Сизов. ФТП, 31, 1460 (1997)
- Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков. ФТП, 31, 648 (1997)
- Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков. Письма ЖЭТФ, 66, 633 (1997)
- A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., 6, 75 (1994)
- М.Э. Райх, И.М. Рузин. Письма ЖЭТФ, 43, 437 (1986)
- А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан. ПТЭ, N 2, 246 (1992)
- M. Buttiker. Phys. Rev. B, 41, 7906 (1990)
- R. Landauer. Z. Phys., 68, 217 (1987)
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS Physics and Technology (N. Y. Willey, 1982)
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981) с. 383
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук