Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурная сетка кремния в пленках a-Si : H, содержащих упорядоченные включения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 12 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.
Методом разложения SiH4 в магнетронной камере (dc-MASD) были приготовлены пленки a-Si : H с включениями кластеров (SiH2)n или нанокристаллов Si. Пленки имели величины микроструктурного параметра R=0.7-1.0. Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии установлено влияние этих включений на возрастание степени упорядочения структурной сетки Si. Показано, что независимо от природы включений влияние их максимально для пленок собственного материала, осажденных при высоких температурах (до 400oC).
- О.А. Голикова, А.Н. Кузнецов, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин. ФТП, 31, 816 (1997)
- О.А. Голикова, М.М. Казанин, А.Н. Кузнецов, Е.В. Богданова. ФТП, 34 (9), 1125 (2000)
- В.А. Терехов. Автореф. канд. дис. (Воронеж, 1994)
- R. Tsu. J. Non-Cryst. Sol., 97/98, 163 (1987)
- О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 32, 876 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
