Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований
Валеев Р.Г.1, Деев А.Н.1, Рац Ю.В.1, Бабанов Ю.А.2, Крылов П.Н.3, Кобзиев В.Ф.3, Ломаева С.Ф.1
1Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.
Рассмотрены условия получения нанокристаллических пленок арсенида галлия термическим методом на базе модернизированной вакуумной установки УВН-71-П3 с использованием трех видов испарителей. С помощью метода протяженной тонкой структуры рентгеновского спектра поглощения (английская аббревиатура EXAFS) исследована локальная атомная структура полученных образцов.
- М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
- S.I. Zabinsky, J.J. Rehr, A. Ankudinov, R.C. Albers, M.J. Eller. Phys. Rev. B, 52, 2995 (1995)
- Д.И. Кочубей, Ю.А. Бабанов и др. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS-спектроскопия (Новосибирск, Наука, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
