Представлены результаты численного расчета температурных зависимостей фотопроводимости и заполнения состояний оборванных связей для a-Si : H с различным уровнем легирования. Расчеты показывают, что энергетическое положение ловушек оказывает существенное влияние на характер температурных зависимостей фотопроводимости. Это влияние осуществляется не только через участие ловушек в рекомбинации при низких температурах, но и через влияние на заполнение состояний оборванных связей. Установлено, что для a-Si : H p-типа концентрация нейтральных оборванных связей (D⁰-центров) в области средних и низких температур не зависит от уровня Ферми. Показано, что эта особенность - следствие асимметрии положения D⁰- и D^--центров (отрицательно заряженных оборванных связей), а не асимметричности расположения ловушек в запрещенной зоне относительно краев разрешенных зон.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.