Показано, что засветка солнечных элементов аморфного кремния приводит к изменениям темнового тока. Характер релаксации тока после выключения освещения зависит от интенсивности и времени засветки. При определенных временах световой экспозиции возникает токовая неустойчивость в виде хаотических осцилляций, нарастающих со временем и затем резко исчезающих. Наблюдаемый эффект объясняется тем, что при интенсивном освещении в пленке a-Si : H происходит изменение равновесия между различными типами дефектов и начинают доминировать дефекты, блокирующие существующие каналы утечки тока через барьер. В темноте происходит изменение установившегося на свету равновесия, и блокирующие дефекты со временем исчезают. В моменты, когда их концентрация приближается к значениям, определяющим порог протекания по каналам, возникают хаотические колебания, амплитуда которых нарастает вблизи порогового значения. После частичного или полного восстановления каналов осцилляции исчезают. Хаотический характер осцилляций объясняется случайным характером процессов изменения числа и конфигурации канала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.