Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN --- зависимость от тока и напряжения *
Кудряшов В.Е.1, Мамакин С.С.1, Туркин А.Н.1, Юнович А.Э.1, Ковалев А.Н.1, Маняхин Ф.И.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 27 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.
Исследованы квантовый выход и спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне токов J=10-6-10-1 А. Светодиоды фирмы Hewlett Packard имели небольшой разброс квантового выхода излучения (± 15%) при рабочих токах (J~ 10 мА). Различия связаны с разной зависимостью интенсивности излучения от тока и напряжения вследствие различия распределения заряженных центров в области пространственного заряда структур и разной роли туннельной компоненты тока при малых напряжениях. При J=<sssim 100 мкА в диодах с малой толщиной области пространственного заряда (=<sssim 120 нм) обнаружена полоса туннельного излучения, энергетическое положение максимума которой homegamax=1.92-2.05 эВ соответствует напряжению. Положение основного максимума homegamax=2.35-2.36 эВ в спектрах при малых токах (J=0.05-0.5 мА) не зависит от напряжения и объясняется излучательными переходами в локализованных состояниях. Спектральная полоса сдвигается с током при J>1 мА (homegamax=2.36-2.52 эВ); форма полосы описана в модели заполнения хвостов двумерной плотности состояний, обусловленных флуктуациями потенциала. Рассчитана энергетическая диаграмма структуры с множественными квантовыми ямами, которая объясняет 4 параметра модели рекомбинации в хвостах двумерной плотности состояний.
- S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1999)
- К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31 (9), 1055 (1997)
- В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31 (11), 1304 (1997)
- Ф.И. Маняхин, А.Н. Ковалев, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 32 (1), 63 (1998)
- В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 33 (4), 445 (1999)
- A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. Phys. St. Sol. (a), 176 (1), 125 (1999)
- S.F. Chichibu, S.P. DenBaars, K. Wada, M. Aritta, T. Sota, S. Nakamura et al. Mater. Sci. Eng. B, 59, 298 (1999)
- P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71 (5), 569 (1997)
- B. Monemar, J.P. Bergman, J. Dalfors, G. Pozina, B.E. Sernelius, P.O. Holtz, H. Amano, I. Akasaki. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4, 16 (1999)
- F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 57 (16), R9427 (1998)
- A. Hangleiter, J.S. Im, H. Kollmer, O. Gfrorer, J. Off, F. Scholz. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S11, G6.20 (1999)
- V. Schwegler, S.S. Schad, C. Kirchner, M. Seybouth, M. Kamp, K.J. Ebeling, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, U. Stempele, A. Link, W. Limmler, R. Sauer. Phys. St. Sol. (a), 176, 783 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
