Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическая ширина запрещенной зоны полупроводников Cd_1-xMn_xTe и Zn_1-xMn_xTe

Жуковский П.В.¹, Партыка Я.¹, Венгерэк П.¹, Сидоренко Ю.В.², Шостак Ю.А.², Родзик А.¹

¹Люблинский технический университет, Люблин, Польша Lublin University of Technology, Lublin, Poland

²Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Поступила в редакцию: 22 января 2001 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами катодолюминесценции и отражения света исследована зависимость оптической ширины запрещенной зоны полупроводниковых соединений Zn_1-xMn_xTe и Cd_1-xMn_xTe. Установлено, что в соединениях Zn_1-xMn_xTe в области x=<sssim 0.2 появляется дополнительное уширение запрещенной зоны на величину около 0.08 эВ, связанное с наличием в монокристаллах высокой концентрации дефектов межузельного типа. При x>~= 0.3 вероятность существования этих дефектов существенно уменьшается, что связано с искажением тетраэдров кристаллической решетки Zn_1-xMn_xTe атомами Mn, входящими в состав каждого из тетраэдров.

Полумагнитные полупроводники, под ред. Я. Фундыны, Я. Косута (М., Мир, 1992)
Физика соединений A^IIB^VI, под ред. А.М. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
A. Twardowski, P. Swiderski, M. von Ortenberg, R. Pauthenet. Sol. St. Commun., 56, 479 (1985)
П.В. Жуковский, Я. Партыка, П. Венгерэк, Н.М. Лапчук, Ю.В. Сидоренко, Ю.А. Шостак, В.П. Толстых, А. Родзик. Матер. IV науч.-техн. конф. " Качество электроэнергии и электротехнических изделий" (Польша, Свиноустье, 1988) с. 249
A. Holda, A. Rodzik, A.A. Meknikov, P.W. Zukowski. Acta Phys. Polon. A, 88, 739 (1995)
В.В. Соболев. Зоны и экситоны соединений группы A^IIB^VI (Кишинев, Штиинца, 1980)
A. Ebina, M. Yamamoto, T. Tokahashi. Phys. Rev. B, 6, 3786 (1972)
П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак. ФТП, 31, 714 (1997)
П.В. Жуковский. Я. Партыка, П. Вергерэк, Ю.В. Сидоренко, Ю.А. Шостак, А. Родзик. ФТП, 33, 270 (1999)
П.В. Жуковский. Я. Партыка, П. Вергерэк, Ю.В. Сидоренко, Ю.А. Шостак, А. Родзик. ФТП, 34, 1174 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель